-
公开(公告)号：CN119726367A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411901653.7
申请日：2024-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种单模窄线宽大功率三段式半导体激光器，包括依次排列的第一光场调节区、第二光场调节区与相移调节区，且第一光场调节区临近激光器的出光端面，第一光场调节区、第二光场调节区与相移调节区均具备独立电极；第一光场调节区、第二光场调节区与相移调节区共用同一个光栅层和同一波导结构；出光端面镀设抗反膜，另一端面镀设高反膜。本发明的半导体激光器能够兼容大功率、窄线宽和良好的单模特性，同时具备灵活且精准的调控能力。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
