一种含铯铅锡钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN117641953A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311479699.X

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种含铯铅锡钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该含铯铅锡钙钛矿太阳能电池,包括依次设置的透明导电基底、空穴传输层、含铯铅锡钙钛矿活性层、电子传输层、电子阻挡层、金属电极;所述含铯铅锡钙钛矿活性层是在含铯铅锡钙钛矿前驱体溶液中加入调制结晶的添加剂后制得,该调制结晶的添加剂包含羰基和肼两种官能团。本发明通过在含铯铅锡钙钛矿前驱体溶液中引入添加剂,从而使得结晶更加均匀,同时延缓结晶。

    一种钙钛矿/晶硅叠层电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN113206123A

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202110436019.0

    申请日:2021-04-22

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/晶硅叠层电池及其制备方法,属于太阳能电池领域。该叠层电池包括钙钛矿顶电池和隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)硅底电池,从受光正面至背面依次为:顶电极、透明导电层、缓冲层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、n型掺杂多晶硅层、第一隧穿氧化层、n型单晶硅基体、第二隧穿氧化层、p型掺杂多晶硅层、氮化硅层和底电极。本发明的叠层电池,通过TOPCon电池的n型掺杂多晶硅层与钙钛矿电池的空穴传输层直接形成叠层电池的隧穿结,能有效实现载流子的隧穿复合,不仅在工艺上更简便,有效降低叠层电池制备成本,还可以减少叠层电池中隧穿结的光电损耗,提升叠层电池光电转换效率。

    一种钙钛矿/钙钛矿叠层电池
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117769271A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311720061.0

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿/钙钛矿叠层电池,包括沿太阳光入射方向依次排列的透明导电衬底、第一空穴传输层、宽带隙钙钛矿层、第一电子传输层、隧穿复合层、第二空穴传输层、窄带隙钙钛矿层、第二电子传输层、栅线电极;所述隧穿复合层包括透明导电氧化物层和绝缘填充层,所述透明导电氧化物层为非连续薄膜,在所述透明导电氧化物层的非连续区域填充有绝缘填充层。本发明的隧穿复合层能同时实现良好的纵向导电性与减小横向分流作用,从而获得更高的填充因子与更高的器件光电转换效率。

    一种规模化量产的大面积铅锡钙钛矿薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN117642047A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311479705.1

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种规模化量产的大面积铅锡钙钛矿薄膜的制备方法。所述铅锡钙钛矿薄膜是向铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中加入掺杂剂后制得,所述掺杂剂为酰胺型掺杂剂、磺酰型掺杂剂或磷酰型掺杂剂。本发明通过在钙钛矿前驱体溶液中添加上述掺杂剂中的一种或几种,与钙钛矿中的铅离子和锡离子形成配位键,调控铅锡共混钙钛矿的结晶,其中含有孤对电子的氧原子,可以和钙钛矿中的碘化铅和碘化亚锡形成配合物,从而调控钙钛矿结晶生长,改善薄膜均匀性,提高薄膜质量。

    一种钙钛矿薄膜的底部钝化方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117641957A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311479703.2

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜的底部钝化方法。所述钝化方法是在钙钛矿前驱体溶液中加入自沉底钝化剂后制得钙钛矿薄膜,所述自沉底钝化剂为含胺基磺酸的Good’s缓冲剂或含胺基羧酸的Good’s缓冲剂。本发明通过在钙钛矿前驱体溶液中引入自沉底钝化剂,不仅有效地钝化了钙钛矿薄膜的缺陷,提高了钙钛矿底部界面的质量和钙钛矿太阳能电池的光电转化效率;同时无需进行预处理的钝化步骤,确保了钝化的效果,并缩短器件制备的工艺流程,提高了太阳能电池的制备生产速度。

    一种全钙钛矿叠层太阳能电池
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117460268A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311720063.X

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种全钙钛矿叠层太阳能电池,包括沿太阳光入射方向依次排列的透明导电衬底、第一子电池、量子阱隧穿结、第二子电池和背电极,所述量子阱隧穿结包括第一n++层、第二n++层、第三n++层、第一p++层、第二p++层、第三p++层。本发明的量子阱隧穿结结构通过在传统的隧穿结基础上引入更多的重掺杂层,从而使得隧穿结能带结构中产生量子阱,利于电子和空穴束缚并复合,提高全钙钛矿叠层太阳能电池的开路电压、填充因子、短路电流密度,实现光电转化效率的提升。

    一种钙钛矿层制备方法以及光伏装置

    公开(公告)号:CN115207227A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210986908.9

    申请日:2022-08-17

    Abstract: 本申请涉及一种钙钛矿层制备方法以及光伏装置,该方法包括:a)使第一前驱材料在基底上形成第一固体层;所述第一前驱材料包含至少一种二价无机阳离子B,至少一种一价阳离子A和卤化物阴离子X;b)用第二前驱溶液处理所述第一固体层,形成所述钙钛矿层,其中第二前驱溶液包含至少一种一价阳离子A、卤化物阴离子X和SCN‑。本申请通过在两步法的第二步中添加硫氰酸根化合物,特别是氯化甲铵(MACl)和硫氰酸甲基铵(MASCN)的混合物,能控制钙钛矿的成膜过程,优化晶粒尺寸,尤其是能提升在绒面形貌上钙钛矿层的生长。

    一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN111697142A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010499651.5

    申请日:2020-06-04

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 谭海仁 罗昕 顾帅

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法,属于太阳能电池技术领域。该方法具体是先采用热蒸发法在衬底表面沉积制得卤化铅薄膜,然后将得到的薄膜置于有机溶剂的气相环境中进行处理,最后采用溶液法引入有机铵盐,退火后即可得到有机无机杂化钙钛矿薄膜。本发明的方法适用于在粗糙衬底上生长高质量的钙钛矿薄膜,可应用于大面积制备高效的硅/钙钛矿两端叠层太阳能电池。

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