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公开(公告)号：CN116073789B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111284913.7
申请日：2021-11-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公了一种基于双层铌酸锂单晶薄膜的体声波谐振器，所述谐振器从上至下依次包括顶电极、第一层压电薄膜、第二层压电薄膜、底电极、基底；所述底电极和基底之间为悬空结构或者为布拉格反射栅层。本发明的谐振器采用了+X切向(第一层)以及‑X切向(第二层)或‑X切向(第一层)以及+X切向(第二层)的双层铌酸锂单晶薄膜，既保留了X切铌酸锂所具有的大压电系数的优势，同时又可以抑制寄生模式，使得谐振器具有极佳的导纳频谱，具有较大的应用价值。
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公开(公告)号：CN115913161A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210893803.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供基于氮化铝薄膜的声表面波脊状波导及集成器件。本发明的声表面波波导至少包括基底和压电薄膜，所述压电薄膜设置在所述基底上，所述压电薄膜的宽度不小于所述压电薄膜的厚度；所述压电薄膜包括压电材料；所述压电薄膜还包括脊状结构。本发明的声表面波波导在面内呈现近似的各向同性，当压电薄膜的延伸方向发生弯曲转角后，可以保证声表面波的传导模式基本不发生改变，从而减小声表面波的传导损耗。本发明的声表面波波导更利于得到高性能的集成声路，优选用于制备SAW分束器、环形谐振腔等集成声路的基本元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114710133B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110963593.1
申请日：2021-08-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的声学纵向剪切波谐振器，所述谐振器自上而下依次包括叉指电极层、压电薄膜层、底电极层以及基底；其中，压电薄膜层的材质为单晶铌酸锂，该单晶铌酸锂的切向为X切，30°Y方向。本发明采用了X‑cut，30°Y传LN，此切向的LN具有最大的机电耦合系数，并且将金属电极的厚度尽可能做薄。本发明中的YBAR可以实现55％的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN116073789A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111284913.7
申请日：2021-11-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公了一种基于双层铌酸锂单晶薄膜的体声波谐振器，所述谐振器从上至下依次包括顶电极、第一层压电薄膜、第二层压电薄膜、底电极、基底；所述底电极和基底之间为悬空结构或者为布拉格反射栅层。本发明的谐振器采用了+X切向(第一层)以及‑X切向(第二层)或‑X切向(第一层)以及+X切向(第二层)的双层铌酸锂单晶薄膜，既保留了X切铌酸锂所具有的大压电系数的优势，同时又可以抑制寄生模式，使得谐振器具有极佳的导纳频谱，具有较大的应用价值。
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公开(公告)号：CN115913161B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210893803.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供基于氮化铝薄膜的声表面波脊状波导及集成器件。本发明的声表面波波导至少包括基底和压电薄膜，所述压电薄膜设置在所述基底上，所述压电薄膜的宽度不小于所述压电薄膜的厚度；所述压电薄膜包括压电材料；所述压电薄膜还包括脊状结构。本发明的声表面波波导在面内呈现近似的各向同性，当压电薄膜的延伸方向发生弯曲转角后，可以保证声表面波的传导模式基本不发生改变，从而减小声表面波的传导损耗。本发明的声表面波波导更利于得到高性能的集成声路，优选用于制备SAW分束器、环形谐振腔等集成声路的基本元件。
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公开(公告)号：CN116137517A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202310199332.6
申请日：2023-03-03
Applicant: 南京大学
IPC: H03H9/02 , H03H9/25 , H10N30/853
Abstract: 本发明公开一种基于铌酸锂单晶薄膜的声表面波声子晶体，所述声表面波声子晶体包括基底，附着在基底上的铌酸锂单晶薄膜，所述铌酸锂单晶薄膜上具有微柱或微孔。本发明提供的基于铌酸锂单晶薄膜的声表面波声子晶体具有高达近20％的勒夫波方向带隙，利用本发明的声表面波声子晶体能够实现对勒夫波的高效抑制，从而构筑基于勒夫波的声表面波谐振器及滤波器。在不影响声表面波器件散热及工作带宽的基础上，本发明提供的声表面波声子晶体可以带来更高的品质因子、更低的插入损耗及更小的器件尺寸，这对实现稳定、高性能、小型化的新一代微波声学器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114710133A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110963593.1
申请日：2021-08-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的声学纵向剪切波谐振器，所述谐振器自上而下依次包括叉指电极层、压电薄膜层、底电极层以及基底；其中，压电薄膜层的材质为单晶铌酸锂，该单晶铌酸锂的切向为X切，30°Y方向。本发明采用了X‑cut，30°Y传LN，此切向的LN具有最大的机电耦合系数，并且将金属电极的厚度尽可能做薄。本发明中的YBAR可以实现55％的机电耦合系数。
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