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公开(公告)号：CN116073789B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111284913.7
申请日：2021-11-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公了一种基于双层铌酸锂单晶薄膜的体声波谐振器，所述谐振器从上至下依次包括顶电极、第一层压电薄膜、第二层压电薄膜、底电极、基底；所述底电极和基底之间为悬空结构或者为布拉格反射栅层。本发明的谐振器采用了+X切向(第一层)以及‑X切向(第二层)或‑X切向(第一层)以及+X切向(第二层)的双层铌酸锂单晶薄膜，既保留了X切铌酸锂所具有的大压电系数的优势，同时又可以抑制寄生模式，使得谐振器具有极佳的导纳频谱，具有较大的应用价值。
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公开(公告)号：CN118017962A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410062601.9
申请日：2024-01-16
Applicant: 南京大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明公开了一种包含贯穿孔的兰姆波谐振器，包括压电层薄膜，所述兰姆波谐振器还包括一个或多个排布在压电层薄膜的叉指电极区域中的贯穿孔。本发明设计的兰姆波谐振器由于具有贯穿孔结构，贯穿孔对于谐振器寄生模式起到了较好的抑制作用，该贯穿孔可以抑制或者甚至完全消除谐振器的寄生模式，并且具有普适性，在各种IDT电极参数、各种LiNbO3薄膜厚度的情况下，均十分有效；同时，这一方案可大幅提升器件的设计灵活性、紧凑性、力学稳定性、温度稳定性及功率耐受性。
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公开(公告)号：CN114710133A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110963593.1
申请日：2021-08-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的声学纵向剪切波谐振器，所述谐振器自上而下依次包括叉指电极层、压电薄膜层、底电极层以及基底；其中，压电薄膜层的材质为单晶铌酸锂，该单晶铌酸锂的切向为X切，30°Y方向。本发明采用了X‑cut，30°Y传LN，此切向的LN具有最大的机电耦合系数，并且将金属电极的厚度尽可能做薄。本发明中的YBAR可以实现55％的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN115913161B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210893803.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供基于氮化铝薄膜的声表面波脊状波导及集成器件。本发明的声表面波波导至少包括基底和压电薄膜，所述压电薄膜设置在所述基底上，所述压电薄膜的宽度不小于所述压电薄膜的厚度；所述压电薄膜包括压电材料；所述压电薄膜还包括脊状结构。本发明的声表面波波导在面内呈现近似的各向同性，当压电薄膜的延伸方向发生弯曲转角后，可以保证声表面波的传导模式基本不发生改变，从而减小声表面波的传导损耗。本发明的声表面波波导更利于得到高性能的集成声路，优选用于制备SAW分束器、环形谐振腔等集成声路的基本元件。
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公开(公告)号：CN116865701A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310570704.1
申请日：2023-05-19
Applicant: 南京大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明公开了一种包含贯穿孔的兰姆波谐振器，包括压电层薄膜，所述兰姆波谐振器还包括一个或多个排布在压电层薄膜的叉指电极区域中的贯穿孔。本发明设计的兰姆波谐振器由于具有贯穿孔结构，贯穿孔对于谐振器寄生模式起到了较好的抑制作用，该贯穿孔可以抑制或者甚至完全消除谐振器的寄生模式，并且具有普适性，在各种IDT电极参数、各种LiNbO3薄膜厚度的情况下，均十分有效；同时，这一方案可大幅提升器件的设计灵活性、紧凑性、力学稳定性、温度稳定性及功率耐受性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114710133B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110963593.1
申请日：2021-08-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的声学纵向剪切波谐振器，所述谐振器自上而下依次包括叉指电极层、压电薄膜层、底电极层以及基底；其中，压电薄膜层的材质为单晶铌酸锂，该单晶铌酸锂的切向为X切，30°Y方向。本发明采用了X‑cut，30°Y传LN，此切向的LN具有最大的机电耦合系数，并且将金属电极的厚度尽可能做薄。本发明中的YBAR可以实现55％的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN116073789A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111284913.7
申请日：2021-11-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公了一种基于双层铌酸锂单晶薄膜的体声波谐振器，所述谐振器从上至下依次包括顶电极、第一层压电薄膜、第二层压电薄膜、底电极、基底；所述底电极和基底之间为悬空结构或者为布拉格反射栅层。本发明的谐振器采用了+X切向(第一层)以及‑X切向(第二层)或‑X切向(第一层)以及+X切向(第二层)的双层铌酸锂单晶薄膜，既保留了X切铌酸锂所具有的大压电系数的优势，同时又可以抑制寄生模式，使得谐振器具有极佳的导纳频谱，具有较大的应用价值。
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公开(公告)号：CN117978122B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202211305594.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及了滤波器领域，尤其涉及一种基于声子晶体连续域中束缚态的窄带带阻滤波器。该滤波器包括基底，基底上设置有压电薄膜，压电薄膜上设置有输入叉指电极、声子晶体微腔结构和输出叉指电极，声子晶体微腔结构包括第一Type II声子晶体、Type I声子晶体、第二Type II声子晶体，第一Type II声子晶体、第二Type II声子晶体对称设置在Type I声子晶体的两侧，第一Type II声子晶体、第二Type II声子晶体具有相同的晶格常数，且与Type I声子晶体的晶格常数不相同，第一Type II声子晶体、第二Type II声子晶体形成对称性A0模式，在微腔结构中产生S0模式的束缚态。本发明具有带阻特性的同时，还可以在连续域实现，且具有窄带、模式体积小、高Q值等显著优势。
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公开(公告)号：CN117978122A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211305594.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及了滤波器领域，尤其涉及一种基于声子晶体连续域中束缚态的窄带带阻滤波器。该滤波器包括基底，基底上设置有压电薄膜，压电薄膜上设置有输入叉指电极、声子晶体微腔结构和输出叉指电极，声子晶体微腔结构包括第一Type II声子晶体、Type I声子晶体、第二Type II声子晶体，第一Type II声子晶体、第二Type II声子晶体对称设置在Type I声子晶体的两侧，第一Type II声子晶体、第二Type II声子晶体具有相同的晶格常数，且与Type I声子晶体的晶格常数不相同，第一Type II声子晶体、第二Type II声子晶体形成对称性A0模式，在微腔结构中产生S0模式的束缚态。本发明具有带阻特性的同时，还可以在连续域实现，且具有窄带、模式体积小、高Q值等显著优势。
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公开(公告)号：CN115913161A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210893803.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供基于氮化铝薄膜的声表面波脊状波导及集成器件。本发明的声表面波波导至少包括基底和压电薄膜，所述压电薄膜设置在所述基底上，所述压电薄膜的宽度不小于所述压电薄膜的厚度；所述压电薄膜包括压电材料；所述压电薄膜还包括脊状结构。本发明的声表面波波导在面内呈现近似的各向同性，当压电薄膜的延伸方向发生弯曲转角后，可以保证声表面波的传导模式基本不发生改变，从而减小声表面波的传导损耗。本发明的声表面波波导更利于得到高性能的集成声路，优选用于制备SAW分束器、环形谐振腔等集成声路的基本元件。
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