公开(公告)号：CN107611229A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710733295.7

申请日：2017-08-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  刘婧婧 ,  李东珂 ,  沐维维 ,  季阳 ,  吴仰晴 ,  林泽文 ,  陈坤基

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26

Abstract: 一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法，硅基异质结电致发光器件采用钙钛矿电致发光器件，其结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层-电子阻挡层、发光层、电子传输-空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层-电子阻挡层为Si基材料，包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合、X＝Cl、Br或I；采用交流驱动(1)方波驱动频率10HZ-100MHZ,占空比20％-80％；(2)正弦波驱动频率10HZ-100MHZ。

公开(公告)号：CN102255016A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110235565.4

申请日：2011-08-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  孙红程 ,  沐维维 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  徐伟 ,  徐岭 ,  刘宇

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种近红外光发射硅基材料及其制备方法，属于通讯材料技术领域。该材料包括单晶硅衬底或者石英衬底，所述衬底上沉积有脱氢的硼磷共掺的非晶硅/二氧化硅多层膜；所述多层膜的二氧化硅薄膜之间具有成核并结晶于非晶硅薄膜中的硼磷纳米硅量子点。其制备方法包括采用平板电容型射频等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）制备硼磷共掺杂的非晶硅/二氧化硅多层膜、后处理退火薄膜晶化步骤。本发明的纳米晶硅多层结构材料具有低于硅带隙的复合能级，同时克服体硅材料发光效率低下的问题，因此为光互连奠定了基础。其制备方法与微电子技术兼容，有利于大规模生产。

公开(公告)号：CN102255016B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110235565.4

申请日：2011-08-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  孙红程 ,  沐维维 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  徐伟 ,  徐岭 ,  刘宇

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种近红外光发射硅基材料及其制备方法，属于通讯材料技术领域。该材料包括单晶硅衬底或者石英衬底，所述衬底上沉积有脱氢的硼磷共掺的非晶硅/二氧化硅多层膜；所述多层膜的二氧化硅薄膜之间具有成核并结晶于非晶硅薄膜中的硼磷纳米硅量子点。其制备方法包括采用平板电容型射频等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）制备硼磷共掺杂的非晶硅/二氧化硅多层膜、后处理退火薄膜晶化步骤。本发明的纳米晶硅多层结构材料具有低于硅带隙的复合能级，同时克服体硅材料发光效率低下的问题，因此为光互连奠定了基础。其制备方法与微电子技术兼容，有利于大规模生产。