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公开(公告)号：CN108895690B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201810733529.2
申请日：2018-07-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种硅基半导体‑金属纳米复合材料，自外而内依次包括高温保护层、等离激元吸收层以及有序硅纳米柱阵列陷光层；所述高温保护层为氧化铝；所述等离激元吸收层为金纳米颗粒。本发明根据具有陷光特性的周期性硅纳米阵列结构，将金属溅射在上面可以拓宽硅的光吸收波段，从之前截止的1100nm拓宽到了全光谱，同时周期性纳米结构的光共振耦合吸收类光子晶体，使其吸收增强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107611230A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710733302.3
申请日：2017-08-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 钙钛矿/硅异质结电致发光器件，所述钙钛矿电致发光器件的结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层-电子阻挡层、发光层、电子传输-空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层-电子阻挡层为Si基材料，包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅，包括这些但不限于此；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合(X＝Cl，Br，I)。
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公开(公告)号：CN108895690A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810733529.2
申请日：2018-07-05
Applicant: 南京大学
CPC classification number: B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基半导体-金属纳米复合材料，自外而内依次包括高温保护层、等离激元吸收层以及有序硅纳米柱阵列陷光层；所述高温保护层为氧化铝；所述等离激元吸收层为金纳米颗粒。本发明根据具有陷光特性的周期性硅纳米阵列结构，将金属溅射在上面可以拓宽硅的光吸收波段，从之前截止的1100nm拓宽到了全光谱，同时周期性纳米结构的光共振耦合吸收类光子晶体，使其吸收增强。
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公开(公告)号：CN108192607A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810019534.7
申请日：2018-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了上转换强红光发射TiO2纳米材料的制备方法与应用，采用钛酸四丁酯为原料，无水乙醇作为溶剂，乙酰丙酮作为稳定剂，浓硝酸作为催化剂制备TiO2溶胶；使用Yb3+和Er3+作为掺杂离子，通过对TiO2溶胶进行低温烘干和高温退火制备上转换红光TiO2纳米颗粒；以600-800℃度退火处理Yb3+/Er3+掺杂TiO2纳米材料在980nm激光器激发下的上转换荧光具有大的红绿强度比Ired/Igreen，其值6.5以上。
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公开(公告)号：CN108192607B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201810019534.7
申请日：2018-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了上转换强红光发射TiO2纳米材料的制备方法与应用，采用钛酸四丁酯为原料，无水乙醇作为溶剂，乙酰丙酮作为稳定剂，浓硝酸作为催化剂制备TiO2溶胶；使用Yb3+和Er3+作为掺杂离子，通过对TiO2溶胶进行低温烘干和高温退火制备上转换红光TiO2纳米颗粒；以600‑800℃度退火处理Yb3+/Er3+掺杂TiO2纳米材料在980nm激光器激发下的上转换荧光具有大的红绿强度比Ired/Igreen，其值6.5以上。
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公开(公告)号：CN107611229A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710733295.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法，硅基异质结电致发光器件采用钙钛矿电致发光器件，其结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层-电子阻挡层、发光层、电子传输-空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层-电子阻挡层为Si基材料，包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合、X＝Cl、Br或I；采用交流驱动(1)方波驱动频率10HZ-100MHZ,占空比20％-80％；(2)正弦波驱动频率10HZ-100MHZ。
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