公开(公告)号：CN107611229A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710733295.7

申请日：2017-08-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  刘婧婧 ,  李东珂 ,  沐维维 ,  季阳 ,  吴仰晴 ,  林泽文 ,  陈坤基

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26

Abstract: 一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法，硅基异质结电致发光器件采用钙钛矿电致发光器件，其结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层-电子阻挡层、发光层、电子传输-空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层-电子阻挡层为Si基材料，包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合、X＝Cl、Br或I；采用交流驱动(1)方波驱动频率10HZ-100MHZ,占空比20％-80％；(2)正弦波驱动频率10HZ-100MHZ。

公开(公告)号：CN107611230A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710733302.3

申请日：2017-08-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  刘婧婧 ,  李东珂 ,  季阳 ,  吴仰晴 ,  林泽文 ,  陈坤基

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/26 ,  B82Y30/00

Abstract: 钙钛矿/硅异质结电致发光器件，所述钙钛矿电致发光器件的结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层-电子阻挡层、发光层、电子传输-空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层-电子阻挡层为Si基材料，包括p-Si、p-Si+SiO2、p-Si+SiC、p-Si+SiN以及非晶硅，包括这些但不限于此；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合(X＝Cl，Br，I)。