公开(公告)号：CN118073955A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410132932.5

申请日：2024-01-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  郝景刚 ,  李靖 ,  马同川 ,  韩根全 ,  徐科

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/30 ,  H01L21/02 ,  C30B29/20 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明涉及一种掺杂过渡金属离子的亚稳相氧化镓外延薄膜及其生长方法，以乙酰丙酮镓为镓源前驱体、硝酸铬为铬源前驱体，通过Mist‑CVD技术在蓝宝石衬底上生长出亚稳相氧化镓外延薄膜，可以实现常温光致发光。改变过渡金属元素的掺杂浓度，可以调控光致发光峰的强度。本发明提供的方法可以简单地、稳定地且廉价地制备Cr3+掺杂的蓝宝石基α‑Ga2O3外延薄膜，也适合于大尺寸量产，这种技术的应用领域可能包括光电器件、激光器、传感器等领域。