公开(公告)号：CN114703536B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202111126039.4

申请日：2021-09-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 余思远 ,  陈华洋 ,  王济乾 ,  张子栋 ,  卢明辉 ,  陈延峰

IPC: C25D17/02 ,  C25D17/06 ,  C25D17/10 ,  C25D17/00

Abstract: 本发明提供了一种微区电镀装置及其在制备声表面波声子晶体中的应用。该装置包括直流恒流源、电镀槽、阳极板、电镀液、温控系统、搅拌系统、夹具及电镀片。电镀片上包括一个声表面波声子晶体区域及至少两个陪镀区域；陪镀区域对称分布在声表面波声子晶体区域的两侧。本发明采用电化学沉积(电镀)法，可以精确制备基于多类单晶、多晶及非晶基底(如铌酸锂、钽酸锂、硅、二氧化硅、氮化铝、氮化镓、玻璃等)的金属材料(如镍、铜、金等)基的声表面波声子晶体。(56)对比文件Oudich, M 等.Photonic analog ofbilayer graphene《.PHYSICAL REVIEW B》.2021,第103卷(第21期),摘要.Aurélie Lecestre 等.Electroplated Nimask for plasma etching of submicron-sized features in LiNbO3《.MicroelectronicEngineering》.2013,第105卷95-98.Erik Brachmann 等.Pt-wire bondingoptimization for electroplated Pt filmson γ-Al2O3 for high temperature andharsh environment applications《.Sensors &Actuators: A. Physical》.2018,第284卷129-134.

公开(公告)号：CN114710132A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202110580747.9

申请日：2021-05-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 余思远 ,  张子栋 ,  成程 ,  卢明辉 ,  陈延峰

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58 ,  H03H9/64 ,  H03H9/70 ,  H03H9/72

Abstract: 本发明提供一种频率电可调的弹性波拓扑绝缘体及功能组件，该弹性波拓扑绝缘体包括基板以及二维材料层，二维材料层平铺在所述基板上，所述基板的表面设置有蜂窝晶格图案，所述二维材料层包括与所述基板接触的第一区域以及悬浮的第二区域，所述第二区域与所述基板间声阻抗失配，所述二维材料层构建为一个声子晶体结构。本发明能实现弹性波拓扑绝缘体的频率电可调。

公开(公告)号：CN114703536A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202111126039.4

申请日：2021-09-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 余思远 ,  陈华洋 ,  王济乾 ,  张子栋 ,  卢明辉 ,  陈延峰

IPC: C25D17/02 ,  C25D17/06 ,  C25D17/10 ,  C25D17/00

Abstract: 本发明提供了一种微区电镀装置及其在制备声表面波声子晶体中的应用。该装置包括直流恒流源、电镀槽、阳极板、电镀液、温控系统、搅拌系统、夹具及电镀片。电镀片上包括一个声表面波声子晶体区域及至少两个陪镀区域；陪镀区域对称分布在声表面波声子晶体区域的两侧。本发明采用电化学沉积(电镀)法，可以精确制备基于多类单晶、多晶及非晶基底(如铌酸锂、钽酸锂、硅、二氧化硅、氮化铝、氮化镓、玻璃等)的金属材料(如镍、铜、金等)基的声表面波声子晶体。

公开(公告)号：CN117040480A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311024611.5

申请日：2023-08-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  张子栋 ,  余思远 ,  陈延峰

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明公开了一种基于单片铌酸锂声子晶体的滤波器件及其制备工艺，包括电极、叉指换能器和声子晶体，所述声子晶体为表面具有纳米级刻蚀槽的单晶铌酸锂；声子晶体的制备工艺流程包括将铌酸锂晶圆切片，图形掩膜版绘制，电子束光刻形成带有声子晶体图案的光刻胶掩膜版，氩离子束刻蚀将图形转移到铌酸锂表面。本发明所述的瑞利波滤波器对瑞利波有高效的抑制作用，在30MHz的工作带宽范围内，其声波抑制达到20dB；而且制备的声子晶体表面光滑，不会带入额外的散射损耗，其在非声子带隙处具有极低传输损耗。本发明所述的制备工艺不需要额外的刻蚀硬掩膜，工艺简单，加工精度高，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN114710132B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202110580747.9

申请日：2021-05-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 余思远 ,  张子栋 ,  成程 ,  卢明辉 ,  陈延峰

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58 ,  H03H9/64 ,  H03H9/70 ,  H03H9/72

Abstract: 本发明提供一种频率电可调的弹性波拓扑绝缘体及功能组件，该弹性波拓扑绝缘体包括基板以及二维材料层，二维材料层平铺在所述基板上，所述基板的表面设置有蜂窝晶格图案，所述二维材料层包括与所述基板接触的第一区域以及悬浮的第二区域，所述第二区域与所述基板间声阻抗失配，所述二维材料层构建为一个声子晶体结构。本发明能实现弹性波拓扑绝缘体的频率电可调。

公开(公告)号：CN117040466A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311024615.3

申请日：2023-08-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  张子栋 ,  余思远 ,  陈延峰

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明公开了一种高Q值吉赫兹拓扑声表面波谐振腔，包括相互拼接的两种声子晶体，所述声子晶体为表面具有纳米级刻蚀槽的铌酸锂。本发明通过不同拓扑属性声子晶体拼接，构造拓扑界面态，并通过叉指换能器基于压电效应激发声表面波，实现对谐振腔的激发，最终实现高Q值及具有极小模式尺寸的声表面波谐振腔，实验测到的最高Q值为6400。本发明所实现的声表面波谐振腔，具有拓扑保护属性、高Q值、极小体积模式、吉赫兹工作频率及低的传输损耗，可以充分增强其与超导量子比特、固态量子缺陷、微波场及光学光子等的耦合作用，其在相应的研究中将会发挥重要作用。