一种亚微米级四方管状Sb2Se3的制备方法

    公开(公告)号:CN101643938B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200910034771.1

    申请日:2009-09-08

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种亚微米级四方管状Sb2Se3的制备方法,制备方法为:在室温下将物质的量比为2∶3的SbCl3和Na2SeO3加入到丙三醇液体中,磁力搅拌0.5-2个小时,放入微波反应器中加热8-10min;冷却后,将产物用乙醇和水反复交替洗净,在真空干燥箱中干燥后即得亚微米级Sb2Se3四方管。所得Sb2Se3为亚微米级四方管,管长10-20μm,管口宽0.5-1μm,管壁厚100-200nm,沿(001)方向生长。本发明提出的Sb2Se3亚微米级四方管的制备方法简便,所用设备简单,耗时短,可实现短时间内的大量制备,便于工业化生产。

    一种梭形Te纳米管的制备方法

    公开(公告)号:CN101759160A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN201010018359.3

    申请日:2010-01-14

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种梭形Te纳米管的制备方法,制备方法为:在室温下将0.35-0.55mmol的Na2TeO3加入到10.5-16.5mL丙三醇中,磁力搅拌1个小时,放入微波反应器中加热2-15min;冷却后,将产物用乙醇和水反复交替洗净,在真空干燥箱中干燥后即得到梭形Te纳米管。所得Te为纳米级梭形管状结构,管长5-15μm、管口宽300-500nm、管壁厚100-150nm,沿[001]方向生长。本发明提出的梭形Te纳米管的制备方法简便,所用设备简单,耗时短,可实现短时间内的大量制备,便于工业化生产。

    一种亚微米级四方管状Sb2Se3的制备方法

    公开(公告)号:CN101643938A

    公开(公告)日:2010-02-10

    申请号:CN200910034771.1

    申请日:2009-09-08

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种亚微米级四方管状Sb 2 Se 3 的制备方法,制备方法为:在室温下将物质的量比为2∶3的SbCl 3 和Na 2 SeO 3 加入到丙三醇液体中,磁力搅拌0.5-2个小时,放入微波反应器中加热8-10min;冷却后,将产物用乙醇和水反复交替洗净,在真空干燥箱中干燥后即得亚微米级Sb 2 Se 3 四方管。所得Sb 2 Se 3 为亚微米级四方管,管长10-20μm,管口宽0.5-1μm,管壁厚100-200nm,沿(001)方向生长。本发明提出的Sb 2 Se 3 亚微米级四方管的制备方法简便,所用设备简单,耗时短,可实现短时间内的大量制备,便于工业化生产。

    铁-钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料

    公开(公告)号:CN1286126C

    公开(公告)日:2006-11-22

    申请号:CN03158372.5

    申请日:2003-09-29

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 铁-钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料,在电化学阳极氧化的氧化铝纳米孔洞模板中电化学沉积的铁钴合金纳米线阵列,铁钴合金纳米线的直径在10nm~50nm,铁-钴合金的组成为CoxFe1-x,0.20≤x≤0.60。本发明利用电化学阳极氧化的方法制备氧化铝纳米孔洞模板,用电化学沉积铁钴合金纳米线阵列和低温退火的方法,获得了高性能的铁钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料。尤其是在钴的含量为30%~40%,纳米线直径为10nm~22nm时,性能最好。

    一种梭形Te纳米管的制备方法

    公开(公告)号:CN101759160B

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201010018359.3

    申请日:2010-01-14

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种梭形Te纳米管的制备方法,制备方法为:在室温下将0.35-0.55mmol的Na2TeO3加入到10.5-16.5mL丙三醇中,磁力搅拌1个小时,放入微波反应器中加热2-15min;冷却后,将产物用乙醇和水反复交替洗净,在真空干燥箱中干燥后即得到梭形Te纳米管。所得Te为纳米级梭形管状结构,管长5-15μm、管口宽300-500nm、管壁厚100-150nm,沿[001]方向生长。本发明提出的梭形Te纳米管的制备方法简便,所用设备简单,耗时短,可实现短时间内的大量制备,便于工业化生产。

    铁-钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料及制备

    公开(公告)号:CN1529330A

    公开(公告)日:2004-09-15

    申请号:CN03158372.5

    申请日:2003-09-29

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 铁-钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料,在电化学阳极氧化的氧化铝纳米孔洞模板中电化学沉积的铁钴合金纳米线阵列,铁钴合金纳米线的直径在10nm~50nm,铁-钴合金的组成为CoxFe1-x,0.20≤x≤0.60。本发明利用电化学阳极氧化的方法制备氧化铝纳米孔洞模板,用电化学沉积铁钴合金纳米线阵列和低温退火的方法,获得了高性能的铁钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料。尤其是在钴的含量为30%~40%,纳米线直径为10nm~22nm时,性能最好。

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