公开(公告)号：CN1286126C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN03158372.5

申请日：2003-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 唐少龙 ,  陈微 ,  姬广斌 ,  李震 ,  都有为

IPC: H01F1/04 ,  H01F41/14

Abstract: 铁-钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料，在电化学阳极氧化的氧化铝纳米孔洞模板中电化学沉积的铁钴合金纳米线阵列，铁钴合金纳米线的直径在10nm～50nm，铁-钴合金的组成为CoxFe1-x，0.20≤x≤0.60。本发明利用电化学阳极氧化的方法制备氧化铝纳米孔洞模板，用电化学沉积铁钴合金纳米线阵列和低温退火的方法，获得了高性能的铁钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料。尤其是在钴的含量为30%～40%，纳米线直径为10nm～22nm时，性能最好。

公开(公告)号：CN1529330A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN03158372.5

申请日：2003-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 唐少龙 ,  陈微 ,  姬广斌 ,  李震 ,  都有为

IPC: H01F1/04 ,  H01F41/14

Abstract: 铁－钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料，在电化学阳极氧化的氧化铝纳米孔洞模板中电化学沉积的铁钴合金纳米线阵列，铁钴合金纳米线的直径在10nm～50nm，铁－钴合金的组成为CoxFe1－x，0.20≤x≤0.60。本发明利用电化学阳极氧化的方法制备氧化铝纳米孔洞模板，用电化学沉积铁钴合金纳米线阵列和低温退火的方法，获得了高性能的铁钴合金纳米线阵列永磁薄膜材料。尤其是在钴的含量为30％～40％，纳米线直径为10nm～22nm时，性能最好。