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公开(公告)号：CN114488718A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210160748.2
申请日：2022-02-22
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种基于负性光刻胶极紫外曝光的方法，1)在超净间黄光区通过旋涂，烘烤，去边缘残胶的方式将负性光刻胶均匀涂敷在晶圆衬底上，并将特制的硬掩模版贴合在晶圆衬底表面；2)将制备好的晶圆衬底放置在极紫外的曝光装置中，并通过积累曝光时间来达到负性光刻胶所需要的曝光剂量；3)在黄光区将曝光好的晶圆衬底先进行后烘烤，然后在丙二醇甲醚醋酸酯和异丙醇溶液中以交替浸泡的方式进行显影，最后将显影好的样品放置于干净的异丙醇中进行漂洗，用氮气吹干既可。在显微下观察曝光是否充分，有无过曝现象。
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公开(公告)号：CN116723756A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310472494.2
申请日：2023-04-27
申请人： 南京大学
摘要： 本发明涉及一种二维硒化钨‑氧化铝突触器件，自下而上依次设置为衬底层、氧化物层、硒化钨纳米片和电极层，其中电极层包括分别设置在硒化钨纳米片两端的源电极和漏电极，该技术方案提供的突触器件不仅具有良好的电响应行为，还表现出良好的持续导电现象，能够有效实现双脉冲易化、短时程可塑性、长时程可塑性和高通滤波等突触行为，有望在神经形态器件和电响应储存设备上应用。
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公开(公告)号：CN113835313A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111325361.X
申请日：2021-11-10
申请人： 南京大学
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种基于高次谐波的极紫外光刻曝光方法，1)使用飞秒级的强场激光与工作介质相互作用产生高次谐波；2)反应产生的高次谐波复色光通过过滤选取谐波级次，即用于测试的波长所在的谐波级次，从而得到测试波长的纯净极紫外光；3)极紫外光通过狭缝进入曝光装置，对涂敷光刻胶的晶圆样品进行曝光，将掩模版的图案转移到样品表面，通过累积曝光时间来达到光刻胶所需的曝光剂量。所述用于曝光的极紫外光基于高次谐波技术产生。纯净的极紫外光进入曝光装置，使涂有光刻胶的硅片曝光，通过累积曝光时间的方式达到光刻胶所需的曝光剂量。
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公开(公告)号：CN114221203B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202111160845.3
申请日：2021-09-30
申请人： 南京大学
摘要： 一种输出长时间稳定的极紫外脉冲光源装置，包括高功率飞秒激光器、差分气体作用装置和激光阻断装置；其中，高功率飞秒激光器发出飞秒级别的超短脉冲激光，经过平面反射镜和激光聚焦镜，聚焦于差分气体作用装置内；反应气体经过压力控制后连续注入到长度可调的气体盒子内并与激光相互作用产生高次谐波，辐射出EUV光；气体盒子被安装在差分腔室中，与外真空腔形成差分，有效维持了真空腔内的真空度；反应产生的EUV光和未转换的入射激光进入激光阻断装置，入射激光被衰减阻断，得到纯净的EUV光。
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公开(公告)号：CN116234419A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310513606.4
申请日：2023-05-09
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开一种自旋轨道矩器件的制备方法，通过磁控溅射手段，通以氩气、氧气混合气体溅射高纯金属靶材，形成金属氧化物绝缘插层、强自旋轨道耦合层、铁磁性垂直自由层及非磁性氧化物层，并通过光刻、离子束刻蚀、套刻、去胶、光电子束蒸发镀膜等微纳加工工艺，通过电学输运测试及XPS刻蚀深度测量得到，底层绝缘氧化物的氧原子扩散影响重金属层及重金属/铁磁层界面，从而显著降低临界翻转电流及开关辅助磁场大小，临界翻转电流密度低至4×106A/cm2。类阻尼转矩和类场转矩这两种类型的自旋轨道转矩都明显增强，分别增至9.18Oe/mA和20.18Oe/mA，相比于无底层氧化层结构提高了85%。
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公开(公告)号：CN114221203A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111160845.3
申请日：2021-09-30
申请人： 南京大学
摘要： 一种输出长时间稳定的极紫外脉冲光源装置，包括高功率飞秒激光器、差分气体作用装置和激光阻断装置；其中，高功率飞秒激光器发出飞秒级别的超短脉冲激光，经过平面反射镜和激光聚焦镜，聚焦于差分气体作用装置内；反应气体经过压力控制后连续注入到长度可调的气体盒子内并与激光相互作用产生高次谐波，辐射出EUV光；气体盒子被安装在差分腔室中，与外真空腔形成差分，有效维持了真空腔内的真空度；反应产生的EUV光和未转换的入射激光进入激光阻断装置，入射激光被衰减阻断，得到纯净的EUV光。
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