公开(公告)号：CN101323946A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810022471.7

申请日：2008-07-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 孟祥康 ,  操振华 ,  刘澎 ,  李平云 ,  陆海鸣 ,  徐春

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/54

Abstract: 一种不同相结构的纳米晶金属Ta薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法，溅射靶材为纯度达到99.9wt％以上的Ta，衬底为单晶Si片(111)，在沉积之前，将Si片清洗，然后对真空室抽真空，对Ta靶进行约30min的预溅射；Ta膜制备时采用直流磁控溅射，真空室本底真空抽至7.5×10－5Pa以上，制备时真空室加Ar气，真空室的工作压力设置为1.5Pa；衬底的温度保持为室温，溅射功率150－250W，制备纯非晶和纯β相Ta膜；衬底温度范围为400℃到500℃，溅射功率范围都为250W；用于制备纯α相Ta或β与α混合相Ta膜。本发明操作简单，重复性好，实现效果良好。

公开(公告)号：CN100588980C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200710191015.0

申请日：2007-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 孟祥康 ,  操振华 ,  李平云 ,  刘澎 ,  徐春 ,  陆海鸣

IPC: G01R31/28

Abstract: 基于模拟IC真实服役条件的多场耦合装置，由主工作室、闸板阀、分子泵、机械泵、高压直流电源及控制柜、加热器组件、铜板、电场支撑杆、电场支撑杆和陶瓷垫支撑板构成，加热器组件被安装在铜板背部。实现了对电场与温度在高真空下的耦合，最大电场强度可达到2000V/cm，最高温度为800℃，真空可达3.0×10-4Pa。本发明提供了一种对IC服役工作条件的模拟，通过对电场和温度场在高真空下的耦合，对作为IC中重要的金属Cu内导线进行多场耦合下的处理实验，可以真实的反映Cu线在工作中的微结构特征与失效机制的变化，可为微电子元件与评估其工作寿命提供极具价值的实验数据。本发明装置简易，操作方便，实现效果良好。

公开(公告)号：CN101221211A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710191015.0

申请日：2007-12-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 孟祥康 ,  操振华 ,  李平云 ,  刘澎 ,  徐春 ,  陆海鸣

IPC: G01R31/28

Abstract: 基于模拟IC真实服役条件的多场耦合装置，由主工作室、闸板阀、分子泵、机械泵、高压直流电源及控制柜、加热器组件、铜板、电场支撑杆、电场支撑杆和陶瓷垫支撑板构成，加热器组件被安装在铜板背部。实现了对电场与温度在高真空下的耦合，最大电场强度可达到2000V/cm，最高温度为800℃，真空可达3.0×10－4Pa。本发明提供了一种对IC服役工作条件的模拟，通过对电场和温度场在高真空下的耦合，对作为IC中重要的金属Cu内导线进行多场耦合下的处理实验，可以真实的反映Cu线在工作中的微结构特征与失效机制的变化，可为微电子元件与评估其工作寿命提供极具价值的实验数据。本发明装置简易，操作方便，实现效果良好。