公开(公告)号：CN112111720B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202011001455.7

申请日：2020-09-22

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 黄啸谷 ,  张云柯 ,  马亚斌 ,  张兰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  G02B1/00 ,  G02B5/00 ,  G02B5/08

Abstract: 本发明公开了一种激光、红外、微波兼容隐身材料，该隐身材料采用多层膜系结构，包括多层周期性层状结构，该周期性层状结构包括ZnSe薄膜和Ge薄膜。本发明通过对隐身材料进行具有周期性结构的多层膜系一维光子晶体结构设计，使得其兼具激光、雷达、红外隐身性能。

公开(公告)号：CN112111720A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202011001455.7

申请日：2020-09-22

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 黄啸谷 ,  张云柯 ,  马亚斌 ,  张兰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  G02B1/00 ,  G02B5/00 ,  G02B5/08

Abstract: 本发明公开了一种激光、红外、微波兼容隐身材料，该隐身材料采用多层膜系结构，包括多层周期性层状结构，该周期性层状结构包括ZnSe薄膜和Ge薄膜。本发明通过对隐身材料进行具有周期性结构的多层膜系一维光子晶体结构设计，使得其兼具激光、雷达、红外隐身性能。

公开(公告)号：CN107059131A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710263452.2

申请日：2017-04-21

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 黄啸谷 ,  张云柯 ,  张英杰 ,  泽仁翁姆 ,  崔浩南 ,  闫子寒

IPC: C30B29/46 ,  C30B7/14 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米晶，该半导体纳米晶为铜铟硫三元半导体纳米晶，其中铜、铟、硫三种元素的摩尔比为0.7‑1:0.8‑1:1.8‑2.2；所述半导体纳米晶相态单一，晶型结构为六方纤锌矿结构，阴离子硫处于晶胞中心的位置，铟、铜金属阳离子分布在顶角位置。本发明半导体纳米晶能很好地用于薄膜太阳能电池，且制备方法简单，操作便捷，适合一定规模和工业化生产。