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公开(公告)号：CN107059131A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710263452.2
申请日：2017-04-21
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: C30B29/46 , C30B7/14 , H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/0392 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米晶，该半导体纳米晶为铜铟硫三元半导体纳米晶，其中铜、铟、硫三种元素的摩尔比为0.7‑1:0.8‑1:1.8‑2.2；所述半导体纳米晶相态单一，晶型结构为六方纤锌矿结构，阴离子硫处于晶胞中心的位置，铟、铜金属阳离子分布在顶角位置。本发明半导体纳米晶能很好地用于薄膜太阳能电池，且制备方法简单，操作便捷，适合一定规模和工业化生产。
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