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公开(公告)号：CN105845164A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510488786.0
申请日：2015-08-11
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 竹下利章
摘要： 本发明提供能够抑制电路面积且达到稳定输出电压目的的电压产生电路。本实施例的电压产生电路(100A)，具有电荷泵浦电路(20)、电阻分压电路(120)、对电阻分压电路(120)输出的电压(Vm)和基准电压(VREF)进行比较的比较器(34)、基于比较器(34)的比较结果以控制电荷泵浦电路(20)动作的控制电路(36)。电阻分压电路(120)包括串联连接于输出节点(NOUT)和接地之间的电阻(R1、R2、R3、R4)，反应输出电压(VOUT)而在节点(NR)产生电压(Vm)。电阻分压电路(120)更具有用以使电阻(R1、R2、R3、R4)电容性耦接至输出节点(NOUT)的寄生电容(Cp)。
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公开(公告)号：CN116259346A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211114600.1
申请日：2022-09-14
申请人： 华邦电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种可减缓由ISPE引起的存储单元劣化的半导体装置及抹除方法。本发明的NAND型闪速存储器包括存储单元阵列、以及将存储单元阵列的选择区块抹除的抹除构件。抹除构件对选择区块进行第一抹除验证(EV1)及第二抹除验证(EV2)，在第一抹除验证(EV1)合格且第二抹除验证(EV2)不合格的情况下，施加与上次相同的抹除电压的抹除脉冲，在第一抹除验证(EV1)不合格的情况下，施加较上次高一个阶跃电压的抹除脉冲。
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公开(公告)号：CN114121093B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202110817738.7
申请日：2021-07-20
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/34 , G11C5/14 , G06F12/0882 , G06F3/06
摘要： 本发明提供一种半导体存储装置以及编程方法，其通过经改善的ISPP来进行存储单元的编程。本发明的NAND型闪速存储器的编程方法包括选择存储单元阵列的页面，对已选择的页面施加基于ISPP的编程脉冲的步骤。由ISPP施加的编程脉冲包含编程检验因最初的编程脉冲而变成不合格的牺牲性的编程脉冲、及具有比其他编程脉冲的任一者的增加部分均大的增加部分的最后的编程脉冲。
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公开(公告)号：CN114121093A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110817738.7
申请日：2021-07-20
申请人： 华邦电子股份有限公司
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/34 , G11C5/14 , G06F12/0882 , G06F3/06
摘要： 本发明提供一种半导体存储装置以及编程方法，其通过经改善的ISPP来进行存储单元的编程。本发明的NAND型闪速存储器的编程方法包括选择存储单元阵列的页面，对已选择的页面施加基于ISPP的编程脉冲的步骤。由ISPP施加的编程脉冲包含编程检验因最初的编程脉冲而变成不合格的牺牲性的编程脉冲、及具有比其他编程脉冲的任一者的增加部分均大的增加部分的最后的编程脉冲。
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公开(公告)号：CN105845164B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201510488786.0
申请日：2015-08-11
申请人： 华邦电子股份有限公司
发明人： 竹下利章
摘要： 本发明提供能够抑制电路面积且达到稳定输出电压目的的电压产生电路。本实施例的电压产生电路(100A)，具有电荷泵浦电路(20)、电阻分压电路(120)、对电阻分压电路(120)输出的电压(Vm)和基准电压(VREF)进行比较的比较器(34)、基于比较器(34)的比较结果以控制电荷泵浦电路(20)动作的控制电路(36)。电阻分压电路(120)包括串联连接于输出节点(NOUT)和接地之间的电阻(R1、R2、R3、R4)，反应输出电压(VOUT)而在节点(NR)产生电压(Vm)。电阻分压电路(120)更具有用以使电阻(R1、R2、R3、R4)电容性耦接至输出节点(NOUT)的寄生电容(Cp)。
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