发明授权
- 专利标题： 半导体存储装置以及编程方法
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申请号： CN202110817738.7申请日： 2021-07-20
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公开(公告)号： CN114121093B公开(公告)日： 2024-11-01
- 发明人: 矢野胜 , 竹下利章
- 申请人： 华邦电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
- 专利权人： 华邦电子股份有限公司
- 当前专利权人： 华邦电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 宋兴; 刘芳
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; G11C16/34 ; G11C5/14 ; G06F12/0882 ; G06F3/06
摘要：
本发明提供一种半导体存储装置以及编程方法，其通过经改善的ISPP来进行存储单元的编程。本发明的NAND型闪速存储器的编程方法包括选择存储单元阵列的页面，对已选择的页面施加基于ISPP的编程脉冲的步骤。由ISPP施加的编程脉冲包含编程检验因最初的编程脉冲而变成不合格的牺牲性的编程脉冲、及具有比其他编程脉冲的任一者的增加部分均大的增加部分的最后的编程脉冲。
公开/授权文献
- CN114121093A 半导体存储装置以及编程方法 公开/授权日：2022-03-01
