FET器件电特性建模方法、系统和存储介质

    公开(公告)号:CN111967132B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202010651063.9

    申请日:2020-07-08

    Inventor: 李斌 卢丹 吴朝晖

    Abstract: 本发明公开了一种FET器件的电特性建模方法、系统和存储介质,应用在半导体仿真技术,方法包括:获取所述FET器件的固定参数;获取所述FET器件的目标电学指标参数;配置并初始化所述FET器件的变量参数;根据所述FET器件的固定参数和变量参数构建物理模型;选择仿真物理模型对所述物理模型进行电学性能仿真,得到仿真电学指标参数;根据所述目标电学指标参数和仿真电学指标参数修改所述变量参数的数值,直到修改后的所述变量参数对应的物理模型的仿真电学指标参数和所述目标电学指标参数的差的绝对值满足预设条件;根据修改后的所述变量参数和所述固定参数所构成的物理模型的电学性能仿真结果,得到所述FET器件的电特性模型。本发明可以提高了建模效率。

    一种无机微粒-亲水水凝胶复合颗粒及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114591017A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210265260.6

    申请日:2022-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒及其制备方法和应用。本发明的无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒的组成包括无机微粒和包覆无机微粒的亲水水凝胶。本发明的无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒的制备方法包括以下步骤:将水凝胶前驱体、交联剂和引发剂加水分散制成水凝胶前驱体溶液,再将水凝胶前驱体溶液通过雾化喷加的方式包覆在无机微粒表面,再进行冷冻‑解冻循环,即得无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒。本发明的无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒兼具聚合物高抗拉强度和高延性的优势,且显微硬度大,用于水泥基材料可以显著提高其抗裂性能,有利于提升建筑材料的耐久性和降低环境负荷。

    一种无机微粒-亲水水凝胶复合颗粒及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114591017B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202210265260.6

    申请日:2022-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒及其制备方法和应用。本发明的无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒的组成包括无机微粒和包覆无机微粒的亲水水凝胶。本发明的无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒的制备方法包括以下步骤:将水凝胶前驱体、交联剂和引发剂加水分散制成水凝胶前驱体溶液,再将水凝胶前驱体溶液通过雾化喷加的方式包覆在无机微粒表面,再进行冷冻‑解冻循环,即得无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒。本发明的无机微粒‑亲水水凝胶复合颗粒兼具聚合物高抗拉强度和高延性的优势,且显微硬度大,用于水泥基材料可以显著提高其抗裂性能,有利于提升建筑材料的耐久性和降低环境负荷。

    FET器件电特性建模方法、系统和存储介质

    公开(公告)号:CN111967132A

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN202010651063.9

    申请日:2020-07-08

    Inventor: 李斌 卢丹 吴朝晖

    Abstract: 本发明公开了一种FET器件的电特性建模方法、系统和存储介质,应用在半导体仿真技术,方法包括:获取所述FET器件的固定参数;获取所述FET器件的目标电学指标参数;配置并初始化所述FET器件的变量参数;根据所述FET器件的固定参数和变量参数构建物理模型;选择仿真物理模型对所述物理模型进行电学性能仿真,得到仿真电学指标参数;根据所述目标电学指标参数和仿真电学指标参数修改所述变量参数的数值,直到修改后的所述变量参数对应的物理模型的仿真电学指标参数和所述目标电学指标参数的差的绝对值满足预设条件;根据修改后的所述变量参数和所述固定参数所构成的物理模型的电学性能仿真结果,得到所述FET器件的电特性模型。本发明可以提高了建模效率。

    一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统

    公开(公告)号:CN113343501A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110777486.X

    申请日:2021-07-09

    Inventor: 李斌 卢丹 吴朝晖

    Abstract: 本发明公开了一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统,该方法包括:基于通用数据,运用仿真软件建立FinFET器件模型并进行电仿真,获取电特性参数;通过对FinFET器件模型进行热仿真,获得热参数;根据所述热参数修改仿真的环境温度,在FinFET器件受自热影响的环境下修正FinFET器件模型的电特性参数;最后建立基于自热效应的FinFET器件模型。本发明提供的一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统,与不考虑自热效应的传统建模相比较,能够降低器件仿真的误差、提高建模的精准性、提高可靠性分析的准确性。

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