公开(公告)号：CN118366860A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410506909.8

申请日：2024-04-25

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 钱昊 ,  罗东向 ,  张梦龙

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/265 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/205 ,  H01L29/15 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体公开了一种Delta掺杂生长p‑GaN栅型HEMT结构的方法，包括以下步骤：升温到1100℃通H2清洗衬底表面并将衬底表面腐蚀出台阶方便后续成核生长。然后降温至550℃生长后通入TMAl、TMGa和NH3生长低温AlGaN成核层。随后升温至1045℃进行成核层退火。随后在1070℃开始高阻缓冲层的外延生长，生长完成后停止TMGa的供应后在1060℃开始生长AlN插入层等操作，本发明采用Delta掺杂的方式，利用p型掺杂GaN和未掺杂GaN超晶格或者p型AlGaN/GaN超晶格的晶格失配的应力，通过极化作用可以使价带边弯曲。Delta掺杂可以改变活化能进而使原本不易电离的深受主电离，在同样的掺杂浓度下，可以获得更高的空穴浓度。