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公开(公告)号：CN114182135B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202111530543.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 华北电力大学(保定) , 保定天威保变电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种TiN/Ti5Si3混杂增强铜基复合材料及其制备方法，属于铜基复合材料制备技术领域。本发明以Si3N4粉和钛粉为原料，在氩气气氛下热压烧结得到混合压块，将其压入高温铜熔体中，使Si3N4与钛在铜熔体中直接反应生成TiN和Ti5Si3。随着Ti5Si3的生成，TiN与铜熔体之间的润湿性得到改善，所获得的Ti5Si3分布规律，TiN尺寸均匀可控，并在Ti5Si3骨架之间弥散分布。使复合材料的性能有很大的提高。
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公开(公告)号：CN114182135A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111530543.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 华北电力大学(保定) , 保定天威保变电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种TiN/Ti5Si3混杂增强铜基复合材料及其制备方法，属于铜基复合材料制备技术领域。本发明以Si3N4粉和钛粉为原料，在氩气气氛下热压烧结得到混合压块，将其压入高温铜熔体中，使Si3N4与钛在铜熔体中直接反应生成TiN和Ti5Si3。随着Ti5Si3的生成，TiN与铜熔体之间的润湿性得到改善，所获得的Ti5Si3分布规律，TiN尺寸均匀可控，并在Ti5Si3骨架之间弥散分布。使复合材料的性能有很大的提高。
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公开(公告)号：CN117995526A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410303625.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 保定天威保变电气股份有限公司
IPC: H01F27/26 , H01F27/245 , H01F27/32
Abstract: 本发明属于电抗器技术领域，公开了一种三相电抗器铁轭，包括六边形设置的撑板，撑板的外壁贴合设置有若干第一梯形块和第二梯形块，若干第一梯形块和若干第二梯形块间隔交错布置并闭环形成六边形结构；第一梯形块的斜边与相邻的第二梯形块的斜边相等并贴合设置，相邻的第一梯形块与第二梯形块之间设置有等位片；第一梯形块与第二梯形块内分别设置有金属板，相邻的金属板对应设置。本发明可利用较少的材料形成体积小、高效率、低损耗、可靠安全的电抗器铁轭，为布置其它结构件腾出空间。
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公开(公告)号：CN117976370A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410303702.0
申请日：2024-03-18
Applicant: 保定天威保变电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及变压器技术领域，公开一种新型片散结构，包括片散本体，片散本体的顶部连通设置有上汇流管，片散本体的底部连通设置有下汇流管，上汇流管倾斜设置；上汇流管包括汇流管本体，汇流管本体的较低端设置有固定法兰盘，固定法兰盘通过螺栓连接有连接法兰盘，连接法兰盘的中部开设有通孔，通孔内设置有密封组件，密封组件转动连接有转动轴的一端，转动轴的另一端滑动接触有定位组件，转动轴的外壁上设置有清洁组件，清洁组件与汇流管内壁滑动接触，转动轴的端部设置有传动件；其中，上汇流管和下汇流管结构相同。本发明使片散内各片内部流动阻力趋于均匀，有效减小冷油区。
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公开(公告)号：CN114843070A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210288296.6
申请日：2022-03-22
Applicant: 保定天威保变电气股份有限公司
IPC: H01F27/02
Abstract: 本发明提供一种器身围屏结构、电抗器及变压器，其中围屏结构包括：每层围屏分为上下两部分，具体包括：第一围屏和第二围屏，装配时所述第一围屏和第二围屏搭接在一起，在所述第一围屏和第二围屏上，将出线按模块式划分成若干个区域，并在各区域对应位置分别开缺口，在所述第一围屏和第二围屏的对应所述缺口位置配合放置对应尺寸的补屏，根据区域内绕组出线的位置和数量，在补屏上开对应数量的小孔。本发明提出的方案，降低了围屏制造和装配难度，将大面积的制造和装配工作模块化，定位准确，操作方便，装配效果佳，大幅提高了工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119824274A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411925295.3
申请日：2024-12-25
Applicant: 华北电力大学(保定) , 大连理工大学
Abstract: 本发明提供了一种具有细晶组织的高强高导铜合金及其制备方法，属于铜合金制备技术领域。本发明的铜合金包括以下质量百分数的元素：Ni2.0～12.0wt.％，Si 0.4～3.0wt.％，Zn≤1.0wt.％，Ti≤5.0wt.％，B≤1.0wt.％，其余为Cu和不可避免的杂质。本发明调整热处理工艺，通过Ti、B元素的引入促进Ni16Ti6Si7、TiB2物相的生成，这些微米级颗粒在热变形过程中可以充当形核位点并钉扎晶界，促进晶粒细化。本发明通过改变铜合金中Ti、B元素的含量，调控Ni16Ti6Si7、TiB2微米相和Ni2Si纳米相的比例，获得了具有细晶组织的高强高导铜合金。
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公开(公告)号：CN119824273A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411925291.5
申请日：2024-12-25
Applicant: 华北电力大学(保定) , 大连理工大学
Abstract: 一种颗粒晶须混杂增强高强高导铜基复合材料及其制备方法，属于铜合金制备技术领域。本发明制备的复合材料包括以下质量百分比的元素：M1.5～10.0％、Si 0.3～3.0％、X 0.3～2.5％，其余为Cu和不可避免的杂质；所述M为Ni、Co中的至少一种；所述X为Ti、Zr、Mn、V、Nb、Cr中的一种或多种。本发明的复合材料含有均匀分布的M16X6Si7颗粒以及MXSi晶须。本发明通过调整复合材料的热处理步骤，使得到的合金硬度达到120～300HV，抗拉强度达到300～900MPa，导电率达到20％～80％IACS，高温抗软化温度大于500℃。本发明的复合材料可替代对人体有害的铍铜，适应于轻合金、镀锌钢板电阻焊的点、缝焊电极、电触头、电气接插件等，能有效提升相关构件的使用寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN119736499A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411903056.8
申请日：2024-12-23
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: C22C1/02 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22C26/00 , C22F1/08 , C22C1/10 , B23K35/30 , H01H1/025 , H01R13/03 , H01H33/664
Abstract: 本发明提供了一种抗黏附及抗熔焊的铜基复合材料及其制备方法和应用，属于复合材料制备领域。本发明制备的铜基复合材料包括以下组分：Ti、Si、X和铜，通过熔铸法将微米级的颗粒增强相引入铜合金中，获得组织均匀的Cu‑Ti‑Si‑X复合材料。本发明通过优化制备工艺，得到了含颗粒增强相的铜合金。本发明通过引入微米级颗粒，实现了复合材料作为电阻焊电极或者电触头时抗黏附及抗熔焊性能的提升，有效地延长电极或触头的使用寿命，提高了焊接质量或触头的可靠性，并降低维护成本。本发明所述的铜基复合材料在电阻焊电极、电触头等领域具有广泛的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN118996180A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411100626.X
申请日：2024-08-12
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明提供了一种兼具高强度和高导电率的铜合金增强相变质处理方法，属于铜合金材料技术领域。本发明通过Ni、Si、Ti、Sr元素的合金化设计，使初生Ni16Ti6Si7颗粒变质并细化，协同Sr变质和热处理，促使所述合金中增强相分布更为均匀，降低尺寸分布范围，既含有Sr变质后形成的微米级Ni16Ti6Si7颗粒，同时包括在后续热处理过程中析出的纳米Ni16Ti6Si7与Ni2Si颗粒，制备不同尺度颗粒协同增强的Sr变质G相强化高强高导铜合金，从而提高了所述G相强化高强高导铜合金综合性能，使其硬度和抗拉强度更高，延伸性更好，同时保持高的导电率和高温抗软化能力。
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公开(公告)号：CN119040690A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411159774.9
申请日：2024-08-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明提供了一种颗粒增强高强高导铜合金及其制备方法，属于铜合金制备技术领域，所述铜合金的化学组成包括：钴1.00％～6.00％，硅0.10％～2.00％，钛0.10％～3.00％，其余为铜和不可避免的杂质。本发明通过将不同粒度、不同性质、不同形貌或不同维度的增强体引入铜基体中，形成混杂体系，利用混杂增强效应，抑制沉淀强化相的回溶和粗化，并引入微米相阻碍晶粒长大，进而制备出兼具优异的强度、导电率、抗高温软化性能的高强高导铜合金。
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