公开(公告)号：CN114491691A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111652857.8

申请日：2021-12-30

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 任瀚文 ,  李庆民 ,  韩智云 ,  王梦溪 ,  綦天润 ,  丛浩熹

IPC: G06F30/10 ,  G06F30/20 ,  G16C10/00 ,  G16C20/50 ,  H01H1/021 ,  H01H1/025 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯增强铜钨合金电触头硬度改性设计方法，所述方法包含模型构建、势函数选取、仿真参数设置以及压痕硬度计算方法，具体为：通过PSO算法确定石墨烯增强铜钨合金分子模型的结构参数，运用atomsk基于结构参数构建石墨烯增强铜钨合金分子模型，选用EAM、AIREBO、Tersoff和LJ组合势函数，通过LAMMPS去除石墨烯增强铜钨合金分子模型中的重叠原子，并使用共轭梯度法对体系进行几何结构优化，模拟计算不同石墨烯含量对压痕硬度的影响。通过对所述基于分子模拟的石墨烯增强铜钨合金电触头硬度改性设计方法的综合分析，发现较传统实验测量方法，本方法可实现石墨烯增强铜钨合金电触头材料的硬度预测与辅助设计，可为推动高压断路器高性能电触头设计与制造提供参考。