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公开(公告)号：CN118678691A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310268159.0
申请日：2023-03-14
Abstract: 本申请涉及一种热辅助SOT‑MRAM器件、存储阵列以及存储芯片。器件包括：顶电极、至少一个磁隧道结、写电流通道层、隔热层和衬底，所述磁隧道结包括依次堆叠的参考层、隧穿层和磁性自由层，所述写电流通道层位于所述衬底上方，所述磁隧道结位于所述写电流通道层上方，所述顶电极位于所述磁隧道结上方，所述隔热层位于以下至少一个部位：所述写电流通道层下方、处于所述写电流通道层与所述衬底之间；所述写电流通道层上方且至少处于所述磁隧道结的两侧。能够降低SOT‑MRAM的写电流和功耗，并且写电流的减小可以减小写入晶体管的面积，增大存储密度。
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公开(公告)号：CN117529214A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311537749.5
申请日：2023-11-17
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供了一种可高密度集成的磁隧道结、磁随机存储器及其写入方法，磁隧道结由下至上分别包括：自旋轨道矩产生层、自由层、势垒层、参考层和钉扎层，所述自由层包括反铁磁层和人工合成反铁磁层，所述反铁磁层设置在所述自旋轨道矩产生层之上，所述人工合成反铁磁层包括依次设置的铁磁层、间隔层和铁磁层。本发明反铁磁层与自由层之间的交换偏置场可控制自由层的磁矩方向，从而使得反铁磁层磁序与铁磁层磁序相关联，由于反铁磁层的高稳定性，使得自由层磁矩的稳定性大大提高；调控人工合成反铁磁层的膜层材料及厚度，可以实现几乎为零的杂散场，降低器件之间的相互影响，从而缩近器件间距，提高存储密度。
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公开(公告)号：CN107385305B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710583329.9
申请日：2017-07-18
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 自然界中绝大多数材料具有正的热膨胀性质，即在一定温度范围内，随着温度的升高，材料在某一个方向或多个方向发生膨胀。在实际工程应用中，对工程构件的稳定性、精密度、使用寿命等具有很大的影响。负热膨胀材料是一种很好的膨胀抑制剂，可以用来调和正热膨胀，提高工程构件精密度和使用寿命等。本发明提供一种具有负热膨胀性质的固体金属合金材料及其制备方法，可以作为膨胀抑制剂材料使用，该类合金材料在一定温度区间内具有负热膨胀性质，其化学通式为MnNi1‑xFexGe/Cu或者Mn1‑yFeyNiGe/Cu(0≤x≤1，0≤y≤1)。如MnNi0.90Fe0.10Ge/35wt％Cu合金材料在176K
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公开(公告)号：CN119110667A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310681326.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请提供一种基于电场调控交换偏置场的磁存储器，涉及磁存储器领域，包括：自下而上依次贴合的反铁磁层、绝缘插入层、自由层、势垒层及固定层；其中，所述绝缘插入层保持所述反铁磁层与所述自由层之间产生的交换偏置场；当所述绝缘插入层被施加纵向电压时，所述自由层与所述反铁磁层之间形成纵向电场，所述交换偏置场发生翻转，所述自由层磁矩翻转，实现信息写入。本申请能够通过电场调控绝缘插入层上下界面的原子或离子的状态，改变磁近邻效应，从而使得交换偏置场发生大小变化及方向变化，带动自由层实现信息写入。
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公开(公告)号：CN116156997A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310158833.X
申请日：2023-02-15
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种MRAM存储单元、磁性存储阵列、存储器，涉及磁性电子器件技术领域。该MRAM存储单元包括底电极、第一自由层、第一隧穿势垒层、固定层、第二隧穿势垒层、第二自由层和顶电极，其中，底电极用于写入不同方向的电流，使得第一自由层的磁化方向和固定层的磁化方向平行或反平行；顶电极用于写入不同方向的电流，使得第二自由层的磁化方向和固定层的磁化方向平行或反平行。本发明通过向底电极和顶电极写入不同方向的电流，改变第一自由层、第二自由层的磁化方向，使得MRAM存储单元存在多种阻值状态，实现了多阻态存储。同时，本发明优化了原有MTJ结构，从根本上解决了原有MTJ基础单元只能数据位简单叠加、无法实现多种功能的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116847715B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311105192.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及磁存储器领域，提供一种基于交换偏置的自旋轨道矩磁存储单元、磁随机存储器。包括重金属层以及设置于重金属层上的磁隧道结，磁隧道结自下而上依次为反铁磁层、自由层、势垒层以及参考层。重金属层的宽度从重金属层的第一端至第二端逐渐增大。重金属层用于在被施加逐步增大的电流时产生不同强度的自旋轨道力矩，利用反铁磁层与自由层之间的交换偏置作用，在不同强度的自旋轨道力矩的作用下使自由层的磁矩从部分翻转逐步至全部翻转，使自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向平行或反平行，以实现多阻态写入。本发明通过使用具有不同宽度的重金属层，并利用交换偏置作用，实现无外场的确定性翻转和稳定的多阻态。
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公开(公告)号：CN116380664A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310398160.5
申请日：2023-04-14
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明公开一种测量样品综合物性的布里奇曼活塞加压装置，包括：放样机构，放样机构包括高压腔体，高压腔体内设置有样品管，样品管内设置有传压介质；加压机构，加压机构设置在高压腔体的顶端，加压机构的工作端与样品管的底端接触配合；测量机构，测量机构设置在高压腔体的底端，测量机构包括插头单元和安装组件，插头单元通过安装组件可拆卸连接在高压腔体的底端，插头单元的测量端伸入样品管内，插头单元的接线柱穿过安装组件并电性连接有数据采集装置。本装置可以通过给材料施加静态或动态静水压力，并配合不同的引线插头单元实现对材料的动态或静态压力加载下的综合物性研究。
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公开(公告)号：CN116801705B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311096864.3
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及磁存储器领域，提供一种基于压控磁各向异性的存储单元、磁随机存储器。所述存储单元包括自旋轨道矩产生层以及设置于自旋轨道矩产生层上的磁隧道结，磁隧道结包括依次层叠的磁性金属层、间隔层、自由层、势垒层以及参考层，磁性金属层与自由层通过间隔层耦合形成反铁磁结构。在自旋轨道矩产生层与参考层之间被施加电压且自旋轨道矩产生层被施加自旋轨道矩电流的条件下，反铁磁结构的磁性金属层、间隔层及自由层在层间DMI效应和RKKY效应作用下，使自由层的磁矩发生确定性翻转，以使自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向平行或反平行。本发明能够实现磁隧道结的确定性写入，降低磁矩翻转的能耗，且易于大规模应用生产。
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公开(公告)号：CN116801705A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202311096864.3
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及磁存储器领域，提供一种基于压控磁各向异性的存储单元、磁随机存储器。所述存储单元包括自旋轨道矩产生层以及设置于自旋轨道矩产生层上的磁隧道结，磁隧道结包括依次层叠的磁性金属层、间隔层、自由层、势垒层以及参考层，磁性金属层与自由层通过间隔层耦合形成反铁磁结构。在自旋轨道矩产生层与参考层之间被施加电压且自旋轨道矩产生层被施加自旋轨道矩电流的条件下，反铁磁结构的磁性金属层、间隔层及自由层在层间DMI效应和RKKY效应作用下，使自由层的磁矩发生确定性翻转，以使自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向平行或反平行。本发明能够实现磁隧道结的确定性写入，降低磁矩翻转的能耗，且易于大规模应用生产。
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公开(公告)号：CN114744107A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210271002.9
申请日：2022-03-18
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本公开的示例性实施例提供了一种利用负热膨胀或巨热膨胀调控磁性层磁态实现信息存储的方法。本发明提出了一种自旋电子器件可以包括依次堆叠的具有负热膨胀或巨热膨胀特性的膜层、磁性膜层或磁隧道结。为避免膜层之间相互干扰可在负热膨胀或巨热膨胀膜层与磁性层或磁隧道结之间插入缓冲层。其中，负热膨胀或巨热膨胀膜层在温度变化时会发生尺寸变化，该变化可产生界面应力调控磁性层磁态来产生磁电阻效应，因此该方法有望成为一种新型的磁存储技术。
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