公开(公告)号：CN118073413A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202211468805.X

申请日：2022-11-22

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 王巍霖 ,  侯朝昭 ,  贝尼斯坦特·弗朗西斯·莱昂内尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本申请公开了一种环栅晶体管、其制备方法及电子设备，本申请实施例提供的GAA晶体管。该GAA晶体管是在传统GAA晶体管的基础上，在衬底和源极、漏极之间外延生长第一外延掺杂层和第二外延掺杂层，用于切断源极和漏极之间的衬底漏电通道。并且，由于第一外延掺杂层和第二外延掺杂层均是外延生长在衬底之上的，因此第一外延掺杂层和源极形成的耗尽区被限制在第一外延掺杂层里，第二外延掺杂层和漏极形成的耗尽区被限制在第二外延掺杂层里，而不会扩散到衬底里。且第一外延掺杂层和源极形成的耗尽区与第二外延掺杂层和漏极形成的耗尽区在平行于衬底的方向上是被分隔开的，因此可以极大的抑制衬底漏电。

公开(公告)号：CN116195047A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202080103377.3

申请日：2020-10-22

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 许俊豪 ,  贝尼斯坦特·弗朗西斯·莱昂内尔 ,  侯朝昭

IPC分类号： H01L21/8238

摘要： 一种环栅纳米片场效应晶体管(100)和制备方法，该纳米片场效应晶体管(100)包括：衬底(10)，设置于所述衬底(10)表面的半导体凸起(11)；形成于所述半导体凸起(11)的两侧、并覆盖所述衬底(10)表面的绝缘层(12)，所述绝缘层(12)的表面的高度小于所述半导体凸起(11)的高度；间隔形成于所述半导体凸起(11)的上方的多个纳米片(13)；采用该纳米片场效应晶体管(100)的结构，可以降低纳米片场效应晶体管(100)的漏电流，提高纳米片场效应晶体管(100)的开关速度。

公开(公告)号：CN116601774A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180080029.3

申请日：2021-01-13

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 范鲁明 ,  刘燕翔 ,  许俊豪 ,  贝尼斯坦特·弗朗西斯·莱昂内尔 ,  侯朝昭

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本申请提供一种存储器、环栅场效应晶体管以及制备方法。该存储器可以包括：存储矩阵、至少一根源极线、至少一根字线和至少一根位线；存储矩阵包括多个环栅场效应晶体管；至少一根字线连接多个环栅场效应晶体管的栅极，至少一根源极线连接多个环栅场效应晶体管的源极，至少一根位线连接多个环栅场效应晶体管的漏极；其中，环栅场效应晶体管的纳米线的材料为硅锗(SiGe)。在本申请中，对于下一代逻辑工艺(如GAA工艺)来说，通过在存储器中使用与逻辑工艺相同工艺制作的环栅场效应晶体管组成的存储阵列，使得存储器能够与逻辑工艺相兼容。

公开(公告)号：CN115699270A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202080101476.8

申请日：2020-07-23

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 许俊豪 ,  贝尼斯坦特·弗朗西斯·莱昂内尔 ,  侯朝昭

IPC分类号： H01L21/336

摘要： 本申请实施例提供了一种鳍式场效应晶体管和制备方法，该鳍式场效应晶体管包括：衬底，所述衬底上形成有有源区和沟道区；鳍片，形成于所述衬底上，并贯穿所述有源区和所述沟道区；其中，所述鳍片的处于所述沟道区部分的宽度，小于所述鳍片处于所述有源区部分的宽度，采用本申请提供的鳍式场效应晶体管的结构，可以在保证开关速度的情况下提高鳍式场效应晶体管的可靠性。