公开(公告)号：CN114361337A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111682062.1

申请日：2021-12-28

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 程伟明 ,  程敏 ,  赵雨薇 ,  苏睿 ,  缪向水

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C18/12 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明属于半导体存储器件技术领域，具体公开了一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、底电极、功能层和顶电极；所述功能层为掺杂铁酸铋薄膜，所述掺杂铁酸铋薄膜的材料为A位单掺杂、B位单掺杂或A位与B位共掺杂的铁酸铋，A位掺杂元素为稀土金属元素和碱土金属元素中的至少一种，B位掺杂元素为3d过渡金属元素。本发明忆阻器通过对铁酸铋进行掺杂，使得器件具备多种阻态，在脉冲调制下，既可实现稳定的二值存储又可实现电导连续可调特性，能够实现与生物突触相类似的功能，可广泛应用于神经网络领域研究。