一种利用二次曝光调控微透镜面形的方法

    公开(公告)号:CN118426086A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410538358.3

    申请日:2024-04-30

    Abstract: 本发明属于微纳光学器件制备领域,公开了一种利用二次曝光调控微透镜面形的方法,包括以下步骤:(1)在衬底上均匀涂覆正性化学放大光刻胶层,并通过掩模版光刻紫外曝光、后烘、显影形成图案化的光刻胶胶柱结构;(2)对光刻胶胶柱结构进行无掩模版的再次紫外曝光,并再次后烘;(3)进行热回流工艺形成具有曲面面形的光刻胶结构;(4)刻蚀使光刻胶结构的曲面面形转移到衬底上,即可得到微透镜;通过调控再次紫外曝光的剂量、再次后烘的温度以及再次后烘的时间中的至少一者,即可调节光刻胶结构的曲面面形。本发明利用正性化学放大光刻胶,通过在热回流技术前,新引入第二次无掩模版曝光、二次后烘,为面形调控提供了新途径。

    一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法

    公开(公告)号:CN108807692B

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201810557570.9

    申请日:2018-06-01

    Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法,该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子,该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态,这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5:1,从而降低钙钛矿材料的载流子浓度,并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类,尤其通过对掺杂元素浓度的调控,向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子,能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题,并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题,获得高性能、稳定的半导体探测器。

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