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公开(公告)号：CN118395421A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410256023.2
申请日：2024-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F21/52 , G06F21/62 , G06F9/50 , G06F12/1009 , G06F12/0811
Abstract: 本发明涉及一种基于多内核页表模板的内核数据隔离方法及系统。该方法通过在一个内核中创建多个内核页表模板，并绑定特定应用在相对应模板中运行，使得应用内部进程的内核地址空间与模板保持一致，不同应用间的内核地址空间由于不同模板的存在而相互隔离。该系统包括模板管理模块和结合二级缓存设计、堆叠式管理方式和辅助模板设计的私有内存管理模块。本发明能够以极低的开销在同一个内核中以应用为粒度保护应用私有数据以免受内核地址空间任意读攻击或提权攻击所引发的数据泄露。本发明所配置的模板管理模块和私有内存管理模块，可用于维护内核地址空间级别的特权级别划分，并保证应用间私有内存的透明性和私有内存的正常IO功能。
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公开(公告)号：CN117390913A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311232139.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/17 , G06F30/13 , G06F30/15 , G06F111/04 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于结构优化相关技术领域，并公开了一种基于水平集和变密度法的加强筋结构频率优化方法。该方法包括下列步骤：S1有限元网格划分待优化设计的网格加强筋结构的设计域，求解每个单元中心点处的水平集函数；S2获取每个单元的单元密度，构建加强筋间距的约束条件使得相邻加强筋之间的宽度、间距均匀；S3求解网格加强筋结构的基本特征频率；S4以网格加强筋结构的基本特征频率最大化为优化目标，加强筋的宽度、间距和体积为约束条件，权重系数和控制加强筋宽度的投影阈值参数作为设计变量构建网格加强筋结构的优化模型，求解该优化模型直至满足预设终止条件，进而实现优化设计。通过本发明，解决网格加强筋结构的形状和拓扑优化的问题。
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公开(公告)号：CN110165049A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910341820.X
申请日：2019-04-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微纳电子技术领域，具体公开了一种基于纳流体的界面型忆阻器及其制备与应用，该界面型忆阻器包括纳米沟道，分别用于容纳第一液体、第二液体的液体沟道；第一液体与第二液体之间存在电导率上的差异，且二者互不相溶，同时，仅有第一液体能够使该纳米沟道对第一液体产生离子选择作用；通过向纳米沟道施加电压，在电场驱动下使纳米沟道内液体界面发生移动使纳米沟道电阻发生变化，或者通过读取电流对应纳米沟道的电阻值，可分别实现忆阻器的写、读功能。本发明利用第一液体、第二液体在纳米沟道中形成的纳流体，利用电场驱动两种不同电导率且互不相溶的溶液在纳米沟道移动，实现电阻变化，构建得到了基于纳流体的界面型忆阻器。
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公开(公告)号：CN118093228A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410288270.0
申请日：2024-03-14
IPC: G06F9/54
Abstract: 本发明公开了一种面向服务器无感知计算的状态共享方法、系统及装置，该方法包括：在进行数据交互的函数之间设定共享内存对象；创建状态函数并利用所述状态函数管理所述共享内存对象的生命周期；在共享之前，将所述状态函数初始化；所述状态函数将所述共享内存对象中的数据交换至磁盘，并在计算函数访问对应数据之前将其加载回内存中；在与状态相关的所有函数运行结束后，所述状态函数销毁所述共享内存对象。该系统包括：对象设定模块、创建模块、初始化模块和管理模块。该装置包括存储器以及用于执行上述面向服务器无感知计算的状态共享方法的处理器。通过使用本发明，能够改善状态的传递速度。本发明可广泛应用于高分辨率成像领域。
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公开(公告)号：CN109995271A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910208877.2
申请日：2019-03-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02N3/00
Abstract: 本发明公开了一种盐浓度梯度驱动的纳流体发电装置及其制备与应用，该纳流体发电装置包括纳米沟道，以及分别位于该纳米沟道两端、且与该纳米沟道相连通的第一液体沟道与第二液体沟道；其中，第一液体沟道用于容纳第一液体；第二液体沟道用于容纳第二液体；纳米沟道用于利用第一液体与第二液体两者之间的盐浓度差异将化学势能转化为电能，并通过第一电极与第二电极配合输出电能。本发明基于将盐浓度差异的化学势能转化为电能的具体能量转换原理，通过对纳流体发电装置内关键的纳米沟道以及与该纳米沟道配合作用的其他结构进行改进，可实现利用盐浓度梯度驱动发电，尤其可利用海水‑淡水盐浓度实现发电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115081113B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210728045.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/17 , G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/048 , G06F111/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明属于结构优化设计相关技术领域，其公开了一种基于多水平集函数参数化的网格加强筋结构优化方法，该方法包括以下步骤：(1)计算各单元中心点处的各个水平集函数；(2)利用delta函数对水平集函数进行阈值投影以得到ρi(xe)，再采用p‑norm范数凝聚函数或KS函数对ρi(xe)·ρsi进行凝聚以得到单元密度ρe；(3)求得约束函数；(4)求解得到整体位移向量，并确认网格加强筋结构的优化设计问题的表达式；(5)计算灵敏度，并基于计算得到的灵敏度结果对优化设计问题进行求解，并更新设计变量αik,ρsi；(6)判断是否满足预设的优化终止条件。本发明解决了现有网格加强筋结构不连续、可制造性差(不可自由变化)的技术问题。
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公开(公告)号：CN118113471A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410256022.8
申请日：2024-03-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种面向服务器无感知推理负载的GPU共享方法及装置，该GPU共享方法需要拦截并转发推理任务的GOU API调用至代理进程，由API代理进程管理和分配GPU资源，包括：在CPU与多个GPU通过总线连接的情况下，多个GPU仅通过CPU端的API代理与CPU进行通信，以通过API代理进程管理和分配GPU资源，其中，由CPU拦截来自同一个推理应用的每一个函数触发的GPU API；由CPU将被拦截的GPU API转发到指定的同一个GPU运行时内执行，且将每一个函数触发的GPU API指定到针对同一个推理应用预先分配的stream池，使得同一个推理应用的多个函数能够在推理应用执行过程中共享同一个GPU运行时。本发明解决了传统GPU运行时在服务器无感推理系统中过于笨重的问题，提升了服务器无感推理系统GPU资源利用率。
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公开(公告)号：CN118092808A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410288178.4
申请日：2024-03-14
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种针对服务器无感知计算的中间数据存储方法、系统及装置，该方法包括：获取工作编排文件；根据所述工作编排文件生成工作流描述图；对所述工作流描述图进行解析，得到中间数据的依赖计数和生命周期时长预测数据；基于所述依赖计数和所述生命周期时长预测数据对中间数据进行处理，记录真实生命周期时长。该系统包括：文件获取模块、描述图生成模块、解析模块和数据管理模块。通过使用本发明，能够让服务器无感知计算在保证任务正常执行性能时使用更少的存储资源，大幅节约提供服务器无感知计算服务的厂商所需成本。本发明可广泛应用于云计算领域。
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公开(公告)号：CN115081113A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210728045.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/17 , G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/04 , G06F111/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明属于结构优化设计相关技术领域，其公开了一种基于多水平集函数参数化的网格加强筋结构优化方法，该方法包括以下步骤：(1)计算各单元中心点处的各个水平集函数；(2)利用delta函数对水平集函数进行阈值投影以得到ρi(xe)，再采用p‑norm范数凝聚函数或KS函数对ρi(xe)·ρsi进行凝聚以得到单元密度ρe；(3)求得约束函数；(4)求解得到整体位移向量，并确认网格加强筋结构的优化设计问题的表达式；(5)计算灵敏度，并基于计算得到的灵敏度结果对优化设计问题进行求解，并更新设计变量αik,ρsi；(6)判断是否满足预设的优化终止条件。本发明解决了现有网格加强筋结构不连续、可制造性差(不可自由变化)的技术问题。
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公开(公告)号：CN110165049B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910341820.X
申请日：2019-04-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微纳电子技术领域，具体公开了一种基于纳流体的界面型忆阻器及其制备与应用，该界面型忆阻器包括纳米沟道，分别用于容纳第一液体、第二液体的液体沟道；第一液体与第二液体之间存在电导率上的差异，且二者互不相溶，同时，仅有第一液体能够使该纳米沟道对第一液体产生离子选择作用；通过向纳米沟道施加电压，在电场驱动下使纳米沟道内液体界面发生移动使纳米沟道电阻发生变化，或者通过读取电流对应纳米沟道的电阻值，可分别实现忆阻器的写、读功能。本发明利用第一液体、第二液体在纳米沟道中形成的纳流体，利用电场驱动两种不同电导率且互不相溶的溶液在纳米沟道移动，实现电阻变化，构建得到了基于纳流体的界面型忆阻器。
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