公开(公告)号：CN119607203A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411923525.2

申请日：2024-12-25

Applicant: 华中科技大学同济医学院附属同济医院

Inventor： 李然 ,  黄浩浩 ,  刘小金 ,  刘邦鑫 ,  刘宏彬 ,  王俊文 ,  游超 ,  赵恺 ,  韩林 ,  张所军 ,  舒凯

IPC: A61K41/00 ,  A61P35/00 ,  A61P25/00

Abstract: 本发明属于生物医学领域，抑制PHGDH基因表达的物质在制备脑肿瘤放射治疗增敏剂中的应用。本发明所解决的技术问题是如何制备脑肿瘤放射治疗增敏剂。本发明发现PHGDH基因的敲除或敲低联合放疗可以促进脑肿瘤细胞的死亡，抑制脑肿瘤的生长，并延长荷瘤动物的生存期，说明，PHGDH缺失能够增加GBM移植瘤对放疗的敏感性并改善其治疗效果，PHGDH可以作为治疗GBM患者的潜在靶点。

公开(公告)号：CN103986063B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410205796.4

申请日：2014-05-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李洵 ,  奚燕萍 ,  韩林 ,  周宁 ,  黄卫平

IPC: H01S5/10

Abstract: 本发明提供的一种基于带通滤波结构的单纵模半导体激光器，其横向结构即x-y截面所示的结构为脊波导结构，由自下而上依次排列的N型电极(1)、衬底(2)、下包层(3)、下分别限制层(6)、上包层(7)、上包层脊条部分(8)、P型电极(9)组成；其纵向结构即沿z方向所示的结构是由普通的FP腔(10)和位于该腔内的一个带通滤波单元(11)组成，该带通滤波单元设有斜槽。本发明具有结构简单、制作工艺简单和制作成本低等优点，可满足G/10GPON-FTTH网络中ONU应用对高成品率、低成本单纵模激光器的要求。(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层

公开(公告)号：CN103986063A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410205796.4

申请日：2014-05-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李洵 ,  奚燕萍 ,  韩林 ,  周宁

IPC: H01S5/10

Abstract: 本发明提供的一种基于带通滤波结构的单纵模半导体激光器，其横向结构即x-y截面所示的结构为脊波导结构，由自下而上依次排列的N型电极(1)、衬底(2)、下包层(3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、上包层(7)、上包层脊条部分(8)、P型电极(9)组成；其纵向结构即沿z方向所示的结构是由普通的FP腔(10)和位于该腔内的一个带通滤波单元(11)组成，该带通滤波单元设有斜槽。本发明具有结构简单、制作工艺简单和制作成本低等优点，可满足G/10GPON-FTTH网络中ONU应用对高成品率、低成本单纵模激光器的要求。