公开(公告)号：CN107195698B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201710405484.1

申请日：2017-06-01

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐江 ,  文西兴 ,  牛广达 ,  胡青松 ,  陈超 ,  李康华 ,  陈文浩

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了种硒化锑薄膜太阳能电池背表面处理的方法,将硒化锑薄膜电池置于热台上;然后将ErCl溶液滴到硒化锑电池的背表面,并使其覆盖背表面,静置段时间;最后,将电池器件置于涂膜机上采用去离子水清洗,并甩干,获得经过背表面处理的硒化锑薄膜太阳能电池。该方法能有效降低背电极接触电阻,促进光生载流子的收集,提高填充因子,进步提高硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。本发明简单有效的改善了硒化锑电池的背接触特性,进而提高了电池的光电转换性能,为薄膜电池的发展提供了技术支持。

公开(公告)号：CN107195698A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710405484.1

申请日：2017-06-01

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐江 ,  文西兴 ,  牛广达 ,  胡青松 ,  陈超 ,  李康华 ,  陈文浩

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/1868

Abstract: 本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池背表面处理的方法，将硒化锑薄膜电池置于热台上；然后将ErCl3溶液滴到硒化锑电池的背表面，并使其覆盖背表面，静置一段时间；最后，将电池器件置于涂膜机上采用去离子水清洗，并甩干，获得经过背表面处理的硒化锑薄膜太阳能电池。该方法能有效降低背电极接触电阻，促进光生载流子的收集，提高填充因子，进一步提高硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。本发明简单有效的改善了硒化锑电池的背接触特性，进而提高了电池的光电转换性能，为薄膜电池的发展提供了技术支持。

公开(公告)号：CN106854079A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201710108034.6

申请日：2017-02-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 ,  胡云香 ,  周东祥 ,  郑志平 ,  罗为 ,  陈文浩 ,  张芦

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种谐振频率温度系数近零的微波介质陶瓷，属于微波介质陶瓷材料领域，该微波介质陶瓷配方组成落在xTiO2‑y(Zn1/3Nb2/3)O2‑(100‑x‑y)ZrO2三元体系的设定组成区域中，设定区域是指三元体系中九条线段按照先后顺序依次首尾连接而构成的封闭区域。本发明的谐振频率温度系数近零的微波介质陶瓷可用于制备移动通信基站介质滤波器、谐振器和天线。本发明还公开了制备该谐振频率温度系数近零的微波介质陶瓷的制备方法。根据本发明，可在较大区域范围内灵活选配价格成本较低的配方，制备获得谐振频率温度系数近零的介质陶瓷。