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公开(公告)号：CN107910746B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711089353.3
申请日：2017-11-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种反射式半导体光放大器，包括：渐变波导区，其脊宽沿腔长方向是渐变的，所述腔长方向为上行信号或者下行信号传播的方向；脊宽沿下行信号传播的方向逐渐减小，使得所述下行信号整体上经历强饱和效应而被擦除；所述脊宽沿上行信号传播的方向逐渐增大，使得所述上行信号整体上经历弱饱和效应而被放大。本发明采用了非对称的结构，可以对上下行工作在不同的状态，同时满足两个方向的信号处理需求。
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公开(公告)号：CN102537842B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210013686.9
申请日：2012-01-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B3/00 , F21V5/04 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种光型可控的双自由曲面透镜设计方法，该方法按照能量等分原理，以光源为坐标原点，将光源的三维空间按经纬线划分成经线和纬线相交的光通量相等的网格图；将目标面划分成等面积的光通量相等的格子区域；并根据待设计的双自由曲面透镜的目标面的对称性及给定的内、外表面的函数关系或者通过从光源和目标面的划分得到的透镜的入射光线的方向以及最终的出射光线的方向分配光线在双自由曲面透镜的内、外表面两次偏折角度，进行设计。双自由曲面透镜的内、外表面可以设计成适应不同封装需要的不同的形状，经过内、外表面能够实现光束控制，满足各种不同照明要求，实现多种不同的照明效果。
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公开(公告)号：CN107910746A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711089353.3
申请日：2017-11-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种反射式半导体光放大器，包括：渐变波导区，其脊宽沿腔长方向是渐变的，所述腔长方向为上行信号或者下行信号传播的方向；脊宽沿下行信号传播的方向逐渐减小，使得所述下行信号整体上经历强饱和效应而被擦除；所述脊宽沿上行信号传播的方向逐渐增大，使得所述上行信号整体上经历弱饱和效应而被放大。本发明采用了非对称的结构，可以对上下行工作在不同的状态，同时满足两个方向的信号处理需求。
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公开(公告)号：CN102537842A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210013686.9
申请日：2012-01-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: F21V5/04 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种光型可控的双自由曲面透镜设计方法，该方法按照能量等分原理，以光源为坐标原点，将光源的三维空间按经纬线划分成经线和纬线相交的光通量相等的网格图；将目标面划分成等面积的光通量相等的格子区域；并根据待设计的双自由曲面透镜的目标面的对称性及给定的内、外表面的函数关系或者通过从光源和目标面的划分得到的透镜的入射光线的方向以及最终的出射光线的方向分配光线在双自由曲面透镜的内、外表面两次偏折角度，进行设计。双自由曲面透镜的内、外表面可以设计成适应不同封装需要的不同的形状，经过内、外表面能够实现光束控制，满足各种不同照明要求，实现多种不同的照明效果。
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公开(公告)号：CN206742259U
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201720632023.3
申请日：2017-05-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/12 , H01L31/173 , H01L31/105 , H01S5/026
Abstract: 本实用新型公开了一种新型的VCSOA-PIN集成光探测器，为垂直腔半导体光放大器与PIN光电二极管在垂直方向上单片集成的光探测器，其自下而上包括底部电极、PIN部分、台下电极区、VCSOA部分和台上电极区，所述底部电极、台上电极区和台下电极区为所述VCSOA部分和所述PIN部分提供偏置；具有体积小、工艺简单、成本较低、适合大规模生产的优点，其理想设计仿真效果证实其增益带宽积最大可以达到490GHz，而现有垂直入射型的APD只有350GHz左右。
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