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公开(公告)号：CN116981348A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310937697.4
申请日：2023-07-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种硒化钽忆阻器及其制备方法，属于微电子忆阻器领域，忆阻器包括从下而上的底电极层、硒化物介质层、忆阻功能层和顶电极层；所述硒化物介质层为原位氧化后剩余的二维TaSe2层；所述硒化物介质层和二维氧化产物层层叠为一体，用于改善二维氧化产物层与所述底电极之间的界面接触，降低接触电阻，使氧空位导电细丝生长更加稳定；所述底电极层和顶电极层用于提供电极，当两者间施加正向偏压后，硒化物介质层中形成氧空位导电细丝。本发明提供的硒化物介质层为形成导电细丝创造了必要条件，且能提高导电细丝生长的质量，从而提升忆阻器的性能。
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公开(公告)号：CN113921711A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111165610.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法，属于微电子器件领域，岛状低阻通路忆阻功能层材料包括硒化物层和在硒化物层上由硒化物原位氧化获得的氧化产物层，氧化产物层中具有硒的三方晶体团簇，硒的三方晶体团簇在氧化产物层中呈岛状分布，氧空位导电细丝连通硒的三方晶体团簇和未被氧化的剩余的硒化物部分。忆阻器包括顶电极、底电极、硒化物层、氧化产物层和二维材料层，底电极设置在硒化物层上，二维材料层层叠在氧化产物层上，顶电极设置在二维材料层上，二维材料层能改善氧化产物层与顶电极的接触特性，形成欧姆接触。本发明还提供了忆阻器的制备方法。本发明能提升忆阻器阈值电压一致性的同时降低阈值电压的数值。
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公开(公告)号：CN117750874A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311704748.5
申请日：2023-12-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种导电桥型阈值转换器件及其制备方法。所述导电桥型阈值转换器件包括：半导体衬底及从下至上依次设置在所述半导体衬底上的底电极、二维ZrSe2层、阻挡层以及顶电极；所述二维ZrSe2层的上表面有本征氧化层；所述阻挡层中设置有供顶电极在施加电压条件下与本征氧化层接触的缝隙，所述阻挡层用于在降低本征氧化层与顶电极的接触电阻的同时，抑制顶电极向本征氧化层的扩散过程。本发明的功能介质层选择为ZrSe2二维材料，导电丝的生长与断裂发生在二维材料经过本征氧化的表面区域，该区域很薄，能够将器件的开态电流限制在很低的范围内，有望用于神经形态器件的构建。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115968253A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211577490.2
申请日：2022-12-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供了一种硒化物晶体本征氧化制备的忆阻功能层材料、忆阻器及方法，属于微电子器件领域，功能层材料包括ReSe2本征氧化形成的Re2O7，本征氧化层位于ReSe2二维材料层上方，氧空位导电细丝连通ReSe2和被氧化的Re2O7本征氧化层。忆阻器包括了顶电极、底电极、ReSe2二维材料层、Re2O7本征氧化物层四部分。ReSe2二维材料层本身是低阻，可以较好的改善与电极的接触特性，以形成欧姆接触，而其氧化物Re2O7阻值很高，可以很大地增大器件的高阻，进而减小漏电流，增加器件的开关比。本发明同时提供了以上忆阻器的制备方法。本发明采用了一种全新的忆阻功能层材料，其能增加忆阻器件的开关比。
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公开(公告)号：CN118201476A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410329989.4
申请日：2024-03-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于二维材料的1S1R集成单元及及其制备方法，属于微电子技术领域。本申请包括依次堆叠的底电极、阻变功能层、中间金属层、选通功能层和顶电极；所述阻变功能层和选通功能层为二维过渡金属硒化物材料，其上表面具有本征氧化层；底电极、阻变功能层和中间金属层构成阻变存储单元；阻变存储单元中，本征氧化层用于氧空位导电丝的形成与断裂，非氧化部分用于降低本征氧化层与底电极的势垒；中间金属层、选通功能层和顶电极构成一个选通管单元；选通管单元中，本征氧化层用于银导电丝的形成与断裂，非氧化部分用于降低本征氧化层与中间金属层的势垒。本申请公开技术方案能有效缩小1S1R集成单元尺寸，提高集成密度。
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公开(公告)号：CN117769347A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311703721.4
申请日：2023-12-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种阈值转换器件、其制备方法及基于其的随机密码生成方法，属于微电子器件技术领域，阈值转换器件包括：底电极、硒化物层、氧化产物层和顶电极；底电极和顶电极用于接入施加信号；硒化物层用于防止金属原子大于预设数量地进入氧化产物层；且用于改善底电极和氧化产物层之间的界面接触，降低接触电阻；氧化产物层用于在接入正向施加信号后呈低阻态，在n次撤回施加信号或接入反向施加信号后呈高阻态；超过n次撤回施加信号或接入反向施加信号仍呈低阻态；本发明生成的随机密码安全性很高，且阈值开关器件功耗很低、有望实现高密度集成。
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公开(公告)号：CN119365065A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411393430.4
申请日：2024-10-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于微电子器件技术领域，具体公开了一种导电桥型阈值开关器件和电子设备。通过本申请，硒化物层为二维NbSe2，氧化物层为Nb2O5，形成二维NbSe2‑Nb2O5的异质双层薄膜结构，相较于钒硒氧混合物层(VSe2‑xOx的电阻率小于1.1×104S/cm)，Nb2O5的禁带宽度更大，电阻率提升了7‑8个数量级，使得器件高阻态阻值更高，至少降低泄露电流3个数量级。
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公开(公告)号：CN113921711B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111165610.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供了一种岛状低阻通路忆阻功能层材料、忆阻器及制备方法，属于微电子器件领域，岛状低阻通路忆阻功能层材料包括硒化物层和在硒化物层上由硒化物原位氧化获得的氧化产物层，氧化产物层中具有硒的三方晶体团簇，硒的三方晶体团簇在氧化产物层中呈岛状分布，氧空位导电细丝连通硒的三方晶体团簇和未被氧化的剩余的硒化物部分。忆阻器包括顶电极、底电极、硒化物层、氧化产物层和二维材料层，底电极设置在硒化物层上，二维材料层层叠在氧化产物层上，顶电极设置在二维材料层上，二维材料层能改善氧化产物层与顶电极的接触特性，形成欧姆接触。本发明还提供了忆阻器的制备方法。本发明能提升忆阻器阈值电压一致性的同时降低阈值电压的数值。
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