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公开(公告)号：CN116500516A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210061424.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明属于磁传感器领域，并具体公开了一种MEMS谐振式多功能磁力仪及磁场强度测量方法；该种MEMS谐振式多功能磁力仪包括双端固定音叉谐振器和洛伦兹力发生器；洛伦兹力发生器设置有两个，分别位于双端固定音叉谐振器两端的外侧，并分别与双端固定音叉谐振器的两端固定相连；洛伦兹力发生器两端存在电压差时，其内部产生移动电荷，该电荷在磁场中受洛伦兹力，洛伦兹力发生器将该洛伦兹力施加于双端固定音叉谐振器端部，使双端固定音叉谐振器受轴向力，以此调制双端固定音叉谐振器的谐振频率，实现对外部磁场的感测。该种MEMS谐振式多功能磁力仪能够适应复杂的磁场环境，能够实现片上集成，且灵敏度和分辨率高，并兼具力学传感器等功能。
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公开(公告)号：CN115856728A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310021985.5
申请日：2023-01-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种用于原子磁力仪的MEMS气室及其制造方法，及磁传感器技术领域，旨在解决现有MEMS技术研制原子气室中固态化合物易从生成腔移动到作用腔，进而影响到原子与激光相互作用，以及原子气室小型化导致灵敏度低，并且片上集成加工不易实现的问题，本发明通过“S”形通道设计，解决了气室中固态化合物易从生成腔移动到作用腔的问题，降低了对原子与激光相互作用的影响，通过硅硅键合工艺增加了气室厚度，提高激光与原子相互作用距离，提高信噪比，解决了原子气室小型化导致的低灵敏度问题，增强了小型原子气室的灵敏度，采用MEMS工艺完成气室研制，易与其他组件集成，拓展了气室的应用场景。
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公开(公告)号：CN110342456B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201910558477.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法，本发明中的气压计芯片主要采用半导体微纳加工工艺，由SOI硅片上的发射体、门极、阳极构成；发射体是图案化的碳纳米管(CNT)阵列，使用CNT阵列作为冷阴极发射体材料，利用CNT优异的电学和热学性能等，可以降低气压计整体功耗，增强散热性能，从而提高气压计的稳定性；门极(Grid)采用深硅刻蚀加工形成具有高深宽比的三维(3D)对称劈尖结构，有效增强了门极中心的电场强度，这种对称的、具有高深宽比的3D尖端结构形成的高电场可以有效的吸收电子，进而可以明显的提升气压计的精度；通过分开放置气压计的上下两部分，可以根据实际需求切割相应大小的芯片，提高了对芯片资源的利用率，能做到量产和小型化。
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公开(公告)号：CN111965232B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010705750.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明属于胶体电推进系统应用领域，具体涉及一种胶体电推进系统的电喷雾在轨检测方法及其应用，方法包括：在胶体电推进系统在轨发射的电喷雾按照其发射方向飞行时，对电喷雾施加外力，使部分电喷雾飞行方向发生偏转；在偏转后的飞行方向上设置有良导体电极，当部分电喷雾飞行至撞击良导体电极时，采集该撞击产生的电流信号直至信号消失；处理电流信号得到电喷雾物理特性，完成电喷雾在轨检测。本发明基于外力实现对飞行电喷雾偏转采样、基于电流信号实现电喷雾的物理特性检测，以全面分析电推进系统性能。其中电喷雾采样时仅提取非常小部分的电喷雾进行检查，不影响大部分电喷雾在正常发射方向的飞行过程，能够保证推进系统的连续推力输出能力。
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公开(公告)号：CN113075791A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110304771.X
申请日：2021-03-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种静电驱动纯硅基光栅的太赫兹调制器及制备方法，属于信息技术中的太赫兹器件领域。该器件由纯硅基一维交错光栅和静电驱动梳齿组成。当交错光栅的相对位置发生改变，器件对太赫兹波的透射率和反射率会发生显著变化，因此可以通过控制交错光栅的相对位移变化来实现对太赫兹波的幅度调制。本发明采用SOI硅片，利用MEMS加工技术中的深硅刻蚀工艺将静电驱动模块制作在器件层，衬底层制作一维交错光栅作为太赫兹波调制模块。电容梳齿与交错光栅各自的可动部分通过埋氧层连接组成质量块，经由弹簧与外框架连接，两者的其余部分则分别固定在外框架上。该器件仅由硅材料制备，且采用成熟的MEMS加工工艺，成本低廉、适用于批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111077344B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201911398951.8
申请日：2019-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种加速度传感器，包括：敏感质量、弹簧结构、定电极极板、动电极极板以及外部封装结构；所述敏感质量位于所述外部封装结构的内部，所述弹簧结构将所述敏感质量与外部封装结构连接，所述敏感质量在所述弹簧结构的约束下受外界力的作用而运动；所述定电极极板固定于外部封装结构的内侧；所述动电极极板固定于所述敏感质量的顶部；每个动电极极板与两个定电极极板位置对应，组成一组电极极板；所述动电极极板的平面呈半正弦结构，使得所述敏感质量在平行所述定极板电极所在平面的方向的位移变化对应为动电极极板上感应电压的相位变化。本发明可以获取高精度、大动态范围加速度传感器。
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公开(公告)号：CN111288896B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010172704.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称干涉结构的位移检测系统及其检测方法，其包括检测光源、光学模块、位移监测模块和光电探测模块，光学模块包括第一端口、第二端口和第三端口，第一端口连接检测光源，第三端口连接光电探测模块，位移监测模块与待测物体固定连接，位移监测模块为包括第一反射面和第二反射面的阶梯型结构，其通过可实现光纤环形器功能的光学模块和具有阶梯型结构的位移监测模块，阶梯型结构反射面将光反射使其返回第二端口并与其端面的反射光叠加形成干涉信号，通过分析干涉信号以获取待测物体的位移信息，可实现平行和垂直于第二端口端面方向的位移测量，从而拓宽了基于光学结构的位移传感器的适用范围。
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公开(公告)号：CN109824009B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910002217.9
申请日：2019-01-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI工艺的场发射离子中和器芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)准备表面抛光的SOI衬底；(2)使用光刻和刻蚀工艺去除目标区域的顶层硅及二氧化硅绝缘层，暴露底层硅；(3)在底层硅上得到阵列式的光刻胶图案，并沉积缓冲层和催化剂层，形成缓冲层‑催化剂层阵列；(4)形成碳纳米管阵列得到阴极部分；(5)采用硅片作为栅极基底制备阵列式的透孔结构；(6)在透孔结构上沉积金属薄膜，得到阳极部分；(7)将阴极部分与阳极部分两者键合，得到场发射离子中和器芯片。本发明通过对制备方法整体流程工艺的设计等进行改进，得到的器件能有效克服场屏蔽效应与热效应，具有发射效率佳、功耗低和寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN111863459A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010601614.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于滤波电容、微纳制造技术与电子电路的交叉技术领域，公开了一种贴片式微型滤波电容器的制备方法与应用，采用图形化的3D硅基框架(100)，进行集流体(101)和活性材料(102)的包覆，制得电容器的电极，将其固定于封装外壳下部(103a)，涂覆电解质(104)；最后封装外壳上部(103b)并预留导电连接点，将导电引脚(105)内嵌入壳中，实现电容器的贴片设计导电引脚。本发明对贴片式微型滤波电容器整体流程工艺进行设计，通过半导体工艺实现其贴片电极的定制化制作；采用了简易的封装结构，便于密封；制作尺寸可调的内嵌式导电引脚对电路板进行点焊式电连接，保证了连接可靠性和微缩化集成。最终，将其实际应用于贴片的电路板，实现了滤波功能。
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公开(公告)号：CN111845003A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010557982.X
申请日：2020-06-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了纳米材料的可控性热压实现方法，属于纳米材料加工与应用技术领域，包括以下步骤：首先，选择适用于生长纳米材料的原生衬底，制备纳米材料；其次，在理想的目标衬底上制备辅助界面层和热压截止层；再将原生衬底上的纳米材料与目标衬底表面的辅助界面层贴合，通过加热使辅助界面层进行物理或化学反应，在一定压力下，纳米材料对辅助界面层嵌入式接触；最后，冷却装置并移除原生衬底和辅助生长层，采用浸洗剂去除或直接移除热压截止层，即在目标衬底上转移得到所需纳米材料结构。本发明通过制备特定平整度、高度的热压截止层来实现纳米材料在平面衬底上的形貌完整性和均一性，以保证纳米材料物理化学性质的稳定性。
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