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公开(公告)号：CN115304096B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211018680.0
申请日：2022-08-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟纳米颗粒晶圆级成膜方法、薄膜及应用，属于纳米粒子物理法成膜技术领域，成膜方法包括：按照氧化铟纳米颗粒材料：乙醇：烷基硫醇＝(100‑500)mg：(10‑50)ml：(1‑5)ml的比例，对氧化铟纳米颗粒材料进行疏水化处理；以烷基醇为分散剂、疏水化处理后的氧化铟纳米颗粒材料为分散质，配置浓度为10‑50mg/ml的分散液；利用移液枪向盛有液相物体的容器中注射分散液，直至薄膜铺满整个液面；利用1‑4英寸的晶圆捞取薄膜并晾干；对晾干后附着有薄膜的晶圆进行退火处理，以提升薄膜与晶圆衬底的界面结合力。成膜方法简单、可重复性强、成本低廉，可制备4英寸晶圆级薄膜，且具有普适性。
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公开(公告)号：CN117147634A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311057924.0
申请日：2023-08-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种MEMS气体传感器、阵列及制备方法。MEMS气体传感器包括：硅晶圆基底、检测区和控制电极区；检测区包括N个气敏检测区和一个共用电极区；控制电极区包括N个独立加热电极引脚、N个独立测试电极引脚、一个共用加热电极引脚和一个公用测试电极引脚；气敏检测区包括一个加热电极和两个测试电极，加热电极的一端与独立加热电极引脚连接，另一端通过第一共用电极连接至共用加热电极引脚，第一测试电极通过第二共用电极与共用测试电极引脚连接，第二测试电极与独立测试电极引脚连接；每个气敏检测区通过独立加热电极引脚和测试电极引脚进行独立控温和独立气敏检测。最大化减少了所需电极引脚pad的数量，优化了传感器阵列芯片整体面积与结构。
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公开(公告)号：CN115676769A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211277167.3
申请日：2022-10-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用，属于气敏薄膜制备领域。方法包括：步骤S1、在硅晶圆基片上制备MEMS微加热板阵列；步骤S2、在所述MEMS微加热板阵列的每个传感单元中心区域制备气敏薄膜；步骤S3、在所述气敏薄膜表面均匀沉积贵金属，用于修饰所述气敏薄膜，形成MEMS气体传感器阵列；步骤S4、将所述MEMS气体传感器阵列进行空气‑氢气‑空气循环高温烧结退火；步骤S5、将退火后的MEMS气体传感器阵列划片、封装，形成单个MEMS气体传感器。通过本发明的方法制备得到的传感器能够同时提升MEMS气体传感器的灵敏性、一致性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113791130A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110991527.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/414 , G01N33/531 , G01N33/569
Abstract: 本发明属于生物传感器领域，公开了一种Ni3(HITP)2场效应晶体管生物传感器及其制备方法，该制备方法是基于Ni3(HITP)2场效应晶体管，先制备溶液液槽，使液槽内溶液能够与晶体管的沟道区域相接触，随后将戊二醛交联剂修饰至沟道区域材料表面，再将新冠病毒抗原蛋白探针分子通过戊二醛交联剂固定至沟道材料表面，由此得到Ni3(HITP)2场效应晶体管生物传感器；该液槽能够容纳待测液体，利用生物传感器的电学性能变化，实现对待测液体中新型冠状病毒抗体分子检测。本发明通过对生物传感器的细节结构进行设计改进，得到的生物传感器能够实现对新型冠状病毒抗体分子(尤其是低浓度新型冠状病毒抗体分子)的快速灵敏检测，检测限低至10pg/mL。
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公开(公告)号：CN112694062A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011592356.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器阵列、制备方法及应用，属于气体检测技术领域。阵列包括阵列式排布的基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器，每个气体传感器包括硅晶圆基片以及自下而上排布在在硅晶圆基片上的ONO介质层、加热电极、绝缘层、测试电极和气敏材料，加热电极和测试电极均通过硅通孔引至硅晶圆基片的下表面。本发明提供的气体传感器阵列能够降低成本，缩小器件尺寸，提高器件性能稳定性和一致性，实现传感器阵列，并降低器件功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110429032B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910700639.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于场效应晶体管领域，更具体地，涉及一种基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管的制备方法。将包含源漏栅三端和沟道的晶体管器件置于Ni3(HITP)2反应溶液中，使得在所述晶体管器件的沟道处通过固‑液界面法原位生长得到Ni3(HITP)2薄膜，得到基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管。由此解决现有技术的基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管的制备方法存在的与基底结合不牢固、接触不良好、均匀性差等导致的场效应晶体管的载流子传输性能和灵敏性能欠佳的技术问题。
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公开(公告)号：CN110429032A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910700639.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于场效应晶体管领域，更具体地，涉及一种基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管的制备方法。将包含源漏栅三端和沟道的晶体管器件置于Ni3(HITP)2反应溶液中，使得在所述晶体管器件的沟道处通过固-液界面法原位生长得到Ni3(HITP)2薄膜，得到基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管。由此解决现有技术的基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管的制备方法存在的与基底结合不牢固、接触不良好、均匀性差等导致的场效应晶体管的载流子传输性能和灵敏性能欠佳的技术问题。
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公开(公告)号：CN119407187A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411334356.9
申请日：2024-09-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: B22F9/24 , B22F1/12 , B22F1/054 , B22F1/142 , B82Y40/00 , G01N27/12 , C01G15/00 , C01G23/053 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于敏感材料相关技术领域，其公开了一种用于MEMS气体传感器的高性能TiO2@In2O3/Pd敏感薄膜其合成方法与MEMS气体传感器，方法包括：合成介孔TiO2纳米颗粒球；先将铟盐、碱性化合物、表面活性剂和介孔TiO2纳米颗粒球混合均匀后进行水热反应，再对水热反应的产物进行离心、洗涤和干燥后在空气气氛下进行第一次退火处理，得到In2O3包覆的二氧化钛纳米颗粒球TiO2@In2O3：通过溶液法向纳米颗粒球TiO2@In2O3修饰钯纳米颗粒，进行离心、洗涤和干燥后在氢气氛围下进行第二次退火处理，得到In2O3包覆且具有Pd修饰的二氧化钛纳米颗粒球TiO2@In2O3/Pd；将纳米颗粒球TiO2@In2O3/Pd制成敏感薄膜。通过以上方法制成的敏感薄膜，可以提高对气体检测的敏感性。
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公开(公告)号：CN119265551A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411333922.4
申请日：2024-09-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于检测敏感材料相关技术领域，其公开了一种用于MEMS气体传感器的高性能In‑SnO2/Pd敏感薄膜及其合成方法与MEMS气体传感器，方法包括：步骤S1：先将铟盐、锡盐、盐酸、乙醇和去离子水混合搅拌均匀后进行水热反应，再对水热反应的产物进行离心、洗涤和干燥后在空气气氛下进行第一次退火处理，得到In3+掺杂的二氧化锡纳米颗粒球In‑SnO2，纳米颗粒球In‑SnO2具有中空结构；步骤S2：通过溶液法向纳米颗粒球In‑SnO2修饰钯纳米颗粒，进行离心、洗涤和干燥后在氢气氛围下进行第二次退火处理，得到In3+掺杂且具有Pd修饰的二氧化锡纳米颗粒球In‑SnO2/Pd；步骤S3：将纳米颗粒球In‑SnO2/Pd制成敏感薄膜。通过以上方法制成的敏感薄膜，可以提高对气体检测的敏感性。
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公开(公告)号：CN112694062B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202011592356.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器阵列、制备方法及应用，属于气体检测技术领域。阵列包括阵列式排布的基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器，每个气体传感器包括硅晶圆基片以及自下而上排布在在硅晶圆基片上的ONO介质层、加热电极、绝缘层、测试电极和气敏材料，加热电极和测试电极均通过硅通孔引至硅晶圆基片的下表面。本发明提供的气体传感器阵列能够降低成本，缩小器件尺寸，提高器件性能稳定性和一致性，实现传感器阵列，并降低器件功耗。
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