一种硅基MEMS气体传感器、阵列及制备方法

    公开(公告)号:CN117147635A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311057959.4

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种硅基MEMS气体传感器、阵列及制备方法。硅基MEMS气体传感器包括:硅晶圆基底、检测区和控制电极区;检测区包括4个气敏检测区;控制电极区包括4个独立加热电极引脚、4个独立测试电极引脚、2个共用加热电极引脚和2个公用测试电极引脚;气敏检测区的加热电极的一端与独立加热电极引脚连接,另一端与竖直方向相邻的气敏检测区的加热电极连接,并共同连接至一个共用加热电极引脚;气敏检测区的测试电极包括一个独立测试电极和一个共用测试子电极,独立测试电极与独立测试电极引脚连接;每个气敏检测区通过独立加热电极引脚和测试电极引脚进行独立控温和独立气敏检测。优化了传感器阵列芯片整体面积与结构,集成度达到最高,面积最小。

    一种MEMS气体传感器、阵列及制备方法

    公开(公告)号:CN117147634A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311057924.0

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS气体传感器、阵列及制备方法。MEMS气体传感器包括:硅晶圆基底、检测区和控制电极区;检测区包括N个气敏检测区和一个共用电极区;控制电极区包括N个独立加热电极引脚、N个独立测试电极引脚、一个共用加热电极引脚和一个公用测试电极引脚;气敏检测区包括一个加热电极和两个测试电极,加热电极的一端与独立加热电极引脚连接,另一端通过第一共用电极连接至共用加热电极引脚,第一测试电极通过第二共用电极与共用测试电极引脚连接,第二测试电极与独立测试电极引脚连接;每个气敏检测区通过独立加热电极引脚和测试电极引脚进行独立控温和独立气敏检测。最大化减少了所需电极引脚pad的数量,优化了传感器阵列芯片整体面积与结构。

    一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN115676769A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211277167.3

    申请日:2022-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用,属于气敏薄膜制备领域。方法包括:步骤S1、在硅晶圆基片上制备MEMS微加热板阵列;步骤S2、在所述MEMS微加热板阵列的每个传感单元中心区域制备气敏薄膜;步骤S3、在所述气敏薄膜表面均匀沉积贵金属,用于修饰所述气敏薄膜,形成MEMS气体传感器阵列;步骤S4、将所述MEMS气体传感器阵列进行空气‑氢气‑空气循环高温烧结退火;步骤S5、将退火后的MEMS气体传感器阵列划片、封装,形成单个MEMS气体传感器。通过本发明的方法制备得到的传感器能够同时提升MEMS气体传感器的灵敏性、一致性和稳定性。

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