公开(公告)号：CN110429032B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910700639.3

申请日：2019-07-31

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 段国韬 ,  王冰芳 ,  刘波

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明属于场效应晶体管领域，更具体地，涉及一种基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管的制备方法。将包含源漏栅三端和沟道的晶体管器件置于Ni3(HITP)2反应溶液中，使得在所述晶体管器件的沟道处通过固‑液界面法原位生长得到Ni3(HITP)2薄膜，得到基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管。由此解决现有技术的基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管的制备方法存在的与基底结合不牢固、接触不良好、均匀性差等导致的场效应晶体管的载流子传输性能和灵敏性能欠佳的技术问题。

公开(公告)号：CN110429032A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910700639.3

申请日：2019-07-31

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 段国韬 ,  王冰芳 ,  刘波

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明属于场效应晶体管领域，更具体地，涉及一种基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管的制备方法。将包含源漏栅三端和沟道的晶体管器件置于Ni3(HITP)2反应溶液中，使得在所述晶体管器件的沟道处通过固-液界面法原位生长得到Ni3(HITP)2薄膜，得到基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管。由此解决现有技术的基于Ni3(HITP)2导电MOF薄膜的场效应晶体管的制备方法存在的与基底结合不牢固、接触不良好、均匀性差等导致的场效应晶体管的载流子传输性能和灵敏性能欠佳的技术问题。