公开(公告)号：CN117550884A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311283653.0

申请日：2023-10-07

Applicant: 华中科技大学 ,  华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 雷文 ,  杨佳庆 ,  吕文中 ,  宋小强 ,  王晓川 ,  付明 ,  张猛

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，公开了一种抗还原的微波介质陶瓷温频特性调节剂，其中，微波介质陶瓷材料作为微波介质陶瓷温频特性调节剂的应用，微波介质陶瓷材料的化学式满足(AO)3(BO)(XO2)2，A＝BaxSry，B＝MnhMgk，X＝SimTin；x+y＝1，h+k＝1，m+n＝1，0≤x≤1，0.6≤h≤1，0.8≤m≤1；并且，当h＝1且m＝1时，x≠0；该微波介质陶瓷材料能够通过添加从而调节陶瓷体系整体的谐振频率温度系数。本发明通过对材料的组成进行改进，得到的微波介质陶瓷材料具有介电常数可调，介电损耗低，谐振频率温度系数正值高的特点，尤其可作为微波介质陶瓷温频特性调节剂，调控作用强。

公开(公告)号：CN118047599A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410042349.5

申请日：2024-01-11

Applicant: 华中科技大学 ,  华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 雷文 ,  杨佳庆 ,  吕文中 ,  宋小强 ,  王晓川 ,  付明 ,  张猛

IPC: C04B35/195 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，公开了一种硅基微波介质陶瓷温频特性调控剂，具体的，提供了一种微波介质陶瓷材料作为微波介质陶瓷温频特性调节剂的应用，该微波介质陶瓷材料的化学式为(BaxSryCaz)3MgSi2O8，其中，0＜x＜1，0≤y＜1，0≤z＜1，且x+y+z＝1；并且，当z＝0时，0.25≤x≤0.75，0.25≤y≤0.75；当z≠0时，0.33≤x≤0.34，0≤y≤0.66。本发明通过对材料的组成进行改进，得到的(BaxSryCaz)3MgSi2O8材料，具有介电常数低，介电损耗低，谐振频率温度系数可调的特点，尤其可作为微波介质陶瓷温频特性调节剂。

公开(公告)号：CN116487846A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310602996.2

申请日：2023-05-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 雷文 ,  张猛 ,  吕文中 ,  梁飞 ,  付明 ,  王晓川 ,  杨佳庆

IPC: H01P1/203 ,  H01P7/10

Abstract: 本发明公开了基于平行耦合型多模谐振器的超宽带带通滤波器，属于微波电子元器件领域，包括介质基板、贴片微带线和接地板；贴片微带线包括输入端口馈线、第一耦合枝节、第二谐振枝节、第三低阻抗枝节、第四谐振枝节、第五耦合枝节和输出端口馈线；第二谐振枝节、第四谐振枝节与第三低阻抗枝节两端相连；第一耦合枝节的第一下端平行耦合线与输入端口馈线相连，第一上端平行耦合线与第二谐振枝节相连；第五耦合枝节的第五下端平行耦合线与输出端口馈线相连，第五上端平行耦合线与第四谐振枝节相连。本发明的滤波器不仅尺寸小、可实现性高、易于集成、成本低廉，同时还具备通带性能良好，插入损耗低的特点，有很高的实用价值。

公开(公告)号：CN115925401B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202211404668.3

申请日：2022-11-10

Applicant: 华中科技大学 ,  广东风华高新科技股份有限公司

Inventor： 雷文 ,  杨佳庆 ,  付振晓 ,  吕文中 ,  党明召

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明属于微波介质材料技术领域，公开了一种低介硅酸盐微波介质陶瓷材料，同时包括Ba2‑xSrxMn2Si2O9相与Ba5Si8O21相，且这两相的摩尔比为(1‑y)：y，其中，0≤x≤0.16，0＜y≤0.70；该微波介质陶瓷材料的性能参数满足如下要求：相对介电常数εr∈[8.45,9.75]，品质因数Q×f∈[18900,43500)GHz，谐振频率温度系数τf∈[‑34,1.5]ppm/℃。本发明通过对微波介质陶瓷材料的组分进行改进，将Ba2‑xSrxMn2Si2O9相与Ba5Si8O21相复合得到低介电常数硅酸盐微波介质陶瓷(1‑y)Ba2‑xSrxMn2Si2O9‑yBa5Si8O21，具有较宽烧成温度范围、性能优良等特点，能够有效扩充低介电常数硅酸盐基微波介质陶瓷的材料种类。

公开(公告)号：CN115925401A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211404668.3

申请日：2022-11-10

Applicant: 华中科技大学 ,  广东风华高新科技股份有限公司

Inventor： 雷文 ,  杨佳庆 ,  付振晓 ,  吕文中 ,  党明召

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明属于微波介质材料技术领域，公开了一种低介硅酸盐微波介质陶瓷材料，同时包括Ba2‑xSrxMn2Si2O9相与Ba5Si8O21相，且这两相的摩尔比为(1‑y)：y，其中，0≤x≤0.16，0＜y≤0.70；该微波介质陶瓷材料的性能参数满足如下要求：相对介电常数εr∈[8.45,9.75]，品质因数Q×f∈[18900,43500)GHz，谐振频率温度系数τf∈[‑34,1.5]ppm/℃。本发明通过对微波介质陶瓷材料的组分进行改进，将Ba2‑xSrxMn2Si2O9相与Ba5Si8O21相复合得到低介电常数硅酸盐微波介质陶瓷(1‑y)Ba2‑xSrxMn2Si2O9‑yBa5Si8O21，具有较宽烧成温度范围、性能优良等特点，能够有效扩充低介电常数硅酸盐基微波介质陶瓷的材料种类。

公开(公告)号：CN112234146A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011222581.5

申请日：2020-11-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李雄 ,  李敏 ,  刘凤翔 ,  杨佳庆 ,  刘然然 ,  尤帅

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿吸光层的制备方法、钙钛矿太阳能电池及制备方法，该种钙钛矿吸光层的制备方法包括以下步骤：在第一基底一侧面制备第一钙钛矿过渡态材料；在第二基底一侧面制备第二钙钛矿过渡态材料；将第二基底制备有第二钙钛矿过渡态材料的侧面与第一基底制备有第一钙钛矿过渡态材料侧面相贴合，并于压力为0.1～100Mpa、温度为30～150℃下加热3～20min，使第二钙钛矿过渡态材料迁移至第一基底上，即得钙钛矿吸光层。本发明的钙钛矿吸光层的制备方法，制备得到的钙钛矿吸光层，孔洞、缺陷小，得到的钙钛矿吸光层平整度高，大大提高了钙钛矿吸光层的质量，提升了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性。