一种自适应的存储设备损耗均衡方法及系统

    公开(公告)号:CN110851079A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201911027908.0

    申请日:2019-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种自适应的存储装置损耗均衡方法及装置,属于计算机技术领域,包括:(1)通过存储单元质量模型对非易失性存储器质量评估,并建立质量评估表;(2)若质量评估表中质量最优的存储单元与质量最劣的存储单元之间的量化质量差满足阈值条件,重新设置存储单元使用优先级;(3)接收数据命令后,采用使用优先级最高的存储单元擦写,并更新存储单元对应的质量评估表和特征数据;(4)满足预设条件的存储单元,将特征数据输入存储单元质量模型更新存储单元对应的质量评估表;不满足预设条件的存储单元,转至步骤(2);(5)直至存储设备正常使用。本发明充分考虑了存储单元的擦写次数,延长了存储设备可靠工作的时间。

    一种基于错误模式的闪存寿命测试方法

    公开(公告)号:CN108847267A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810501831.5

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 本发明涉及一种基于错误模式的闪存寿命测试方法,包括以下步骤:抽取样本闪存,将样本闪存芯片与闪存测试系统连接;向所述闪存中写入加速磨损的测试图形或激发错误的测试图形;读取样本闪存中的数据,记录原始错误比特率,将所述原始错误比特率与样本闪存的ECC纠错能力进行对比;当原始错误比特率小于ECC纠错能力时,则对样本闪存芯片重复进行读写操作,否则,证明样本闪存已坏,样本闪存的寿命为擦写操作执行次数。本发明结合氧化层退化以及现有闪存芯片工艺制造特点,采用特定的基于错误模式的高效闪存测试图形,加速闪存芯片磨损、激发闪存芯片内部单元固有的缺陷,从而实现快速的闪存检测。

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