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公开(公告)号:CN118186083B
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202410289457.2
申请日:2024-03-14
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属同济医院
IPC: C12Q1/6886 , C12N15/11
Abstract: 本申请涉及生物标志物领域,尤其涉及一种SNP标志物在辅助诊断前列腺癌的应用;所述SNP标志物位于基因NCOA4的增强子区的遗传变异SNP位点上,所述SNP标志物为rs7077830的组合;通过对前列腺基因NCOA4的增强子区的遗传变异SNP位点筛选,确定SNP位点中的rs7077830通过影响NCOA4的增强子‑启动子交互作用,从而使得携带有rs7077830的人群为易感前列腺癌的人群,进而确定通过对rs7077830的检测就能实现对前列腺癌的早期筛查和检测,从而填补了与前列腺癌基因的增强子区相关的基因位点作为早期筛查和诊断前列腺癌的SNP标志物的空白。
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公开(公告)号:CN109815534B
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN201811544548.7
申请日:2018-12-17
Applicant: 武汉忆数存储技术有限公司 , 华中科技大学
IPC: G06F30/39 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及一种基于决策树算法的闪存寿命预测方法及系统,测量闪存的一种特征量或几种特征量的组合,对所有特征量或组合中部分特征量进行数学运算,将运算结果或测量结果或运算结果和测量结果的组合输入到决策树算法中,由决策树算法计算得到闪存寿命的预测值。本发明具有在相对短的时间内能够对大型数据源做出可行且效果良好的结果的优点。
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公开(公告)号:CN109815534A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201811544548.7
申请日:2018-12-17
Applicant: 武汉忆数存储技术有限公司 , 华中科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于决策树算法的闪存寿命预测方法及装置,测量闪存的一种特征量或几种特征量的组合,对所有特征量或组合中部分特征量进行数学运算,将运算结果或测量结果或运算结果和测量结果的组合输入到决策树算法中,由决策树算法计算得到闪存寿命的预测值。本发明具有在相对短的时间内能够对大型数据源做出可行且效果良好的结果的优点。
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公开(公告)号:CN110851079A
公开(公告)日:2020-02-28
申请号:CN201911027908.0
申请日:2019-10-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种自适应的存储装置损耗均衡方法及装置,属于计算机技术领域,包括:(1)通过存储单元质量模型对非易失性存储器质量评估,并建立质量评估表;(2)若质量评估表中质量最优的存储单元与质量最劣的存储单元之间的量化质量差满足阈值条件,重新设置存储单元使用优先级;(3)接收数据命令后,采用使用优先级最高的存储单元擦写,并更新存储单元对应的质量评估表和特征数据;(4)满足预设条件的存储单元,将特征数据输入存储单元质量模型更新存储单元对应的质量评估表;不满足预设条件的存储单元,转至步骤(2);(5)直至存储设备正常使用。本发明充分考虑了存储单元的擦写次数,延长了存储设备可靠工作的时间。
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公开(公告)号:CN118186083A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410289457.2
申请日:2024-03-14
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属同济医院
IPC: C12Q1/6886 , C12N15/11
Abstract: 本申请涉及生物标志物领域,尤其涉及一种SNP标志物在辅助诊断前列腺癌的应用;所述SNP标志物位于基因NCOA4的增强子区的遗传变异SNP位点上,所述SNP标志物为rs7077830的组合;通过对前列腺基因NCOA4的增强子区的遗传变异SNP位点筛选,确定SNP位点中的rs7077830通过影响NCOA4的增强子‑启动子交互作用,从而使得携带有rs7077830的人群为易感前列腺癌的人群,进而确定通过对rs7077830的检测就能实现对前列腺癌的早期筛查和检测,从而填补了与前列腺癌基因的增强子区相关的基因位点作为早期筛查和诊断前列腺癌的SNP标志物的空白。
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公开(公告)号:CN108847267A
公开(公告)日:2018-11-20
申请号:CN201810501831.5
申请日:2018-05-23
Applicant: 武汉忆数存储技术有限公司 , 华中科技大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明涉及一种基于错误模式的闪存寿命测试方法,包括以下步骤:抽取样本闪存,将样本闪存芯片与闪存测试系统连接;向所述闪存中写入加速磨损的测试图形或激发错误的测试图形;读取样本闪存中的数据,记录原始错误比特率,将所述原始错误比特率与样本闪存的ECC纠错能力进行对比;当原始错误比特率小于ECC纠错能力时,则对样本闪存芯片重复进行读写操作,否则,证明样本闪存已坏,样本闪存的寿命为擦写操作执行次数。本发明结合氧化层退化以及现有闪存芯片工艺制造特点,采用特定的基于错误模式的高效闪存测试图形,加速闪存芯片磨损、激发闪存芯片内部单元固有的缺陷,从而实现快速的闪存检测。
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