公开(公告)号：CN112947002B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202110097299.7

申请日：2021-01-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊伟 ,  刘敬伟 ,  邓春三 ,  张文广 ,  喻克望 ,  焦玢璋 ,  刘耘呈 ,  邓磊敏

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  C01G9/02 ,  C01G51/04 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，更具体地，涉及一种用于微纳加工的光刻胶材料、其制备和应用。其将金属‑有机框架材料通过有机酸溶解于光敏树脂单体中，配合光引发剂共同组成光刻胶材料，然后利用超快激光直写系统增材制造三维微纳结构，显影晾干后经高温煅烧得到三维微纳结构的金属氧化物。本发明提出的一种金属氧化物三维微纳结构的增材制造方法，具有光刻胶简单易制备、适用于超快激光直写系统、分辨率高、成型效果好以及可加工任意复杂三维结构的优势。该发明制备的三维微纳结构金属氧化物有望在光子晶体、结构色、超材料、三维传感器以及三维集成电路等领域取得重大应用。

公开(公告)号：CN114171370A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111363171.7

申请日：2021-11-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊伟 ,  张文广 ,  吴昊 ,  吕婷 ,  邓磊敏 ,  段军

IPC: H01L21/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/26 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，更具体地，涉及一种相对封闭区域固相法制备石墨烯的方法。该方法在衬底上沉积碳源层和催化金属层后得到石墨烯制备前驱体，直接将该石墨烯制备前驱体倒置或者在该前驱体表面放置惰性盖体，形成封闭区域，然后加热退火制备得到免转移大面积高质量石墨烯，相对于正着放置或不设置盖体的开放区域固相法制备，该相对封闭区域固相法制备得到的石墨烯质量更好，无金属残留，碳源选择范围更大。

公开(公告)号：CN110518117B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201910779092.0

申请日：2019-08-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊伟 ,  张文广 ,  邓磊敏 ,  刘敬伟 ,  吴昊 ,  段军

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法，该忆阻器自下而上包括衬底、底电极层、二维材料异质结层及顶电极层，其中，所述二维材料异质结层作为中间介质层，是由两种不同的金属硫化合物构成的两层叠层结构，该叠层结构中的每一层对应其中一种金属硫化合物。本发明通过对器件所采用的关键功能层材料及器件整体结构设计等进行改进，与现有技术相比，完全基于二维材料构建了新型忆阻器，颠覆了传统的MIM结构，具有较低的工作电压、抗疲劳性和循环稳定特性；并且，该忆阻器在模拟神经元传递信息上表现出与神经突触传递信息高度的相似性，在未来类脑结构开发上具有极大的应用前景。

公开(公告)号：CN110518117A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910779092.0

申请日：2019-08-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊伟 ,  张文广 ,  邓磊敏 ,  刘敬伟 ,  吴昊 ,  段军

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法，该忆阻器自下而上包括衬底、底电极层、二维材料异质结层及顶电极层，其中，所述二维材料异质结层作为中间介质层，是由两种不同的金属硫化合物构成的两层叠层结构，该叠层结构中的每一层对应其中一种金属硫化合物。本发明通过对器件所采用的关键功能层材料及器件整体结构设计等进行改进，与现有技术相比，完全基于二维材料构建了新型忆阻器，颠覆了传统的MIM结构，具有较低的工作电压、抗疲劳性和循环稳定特性；并且，该忆阻器在模拟神经元传递信息上表现出与神经突触传递信息高度的相似性，在未来类脑结构开发上具有极大的应用前景。

公开(公告)号：CN119433714A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411482659.5

申请日：2024-10-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨君友 ,  李鑫 ,  黄一槐 ,  罗裕波 ,  张文广

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/10

Abstract: 本发明属于光电材料领域，公开了一种光电半导体材料NaBiS2的制备方法，包括以下步骤：将原料Na2S粉末和原料Bi2S3粉末按照摩尔比1.00～1.10:1.00的比例称量，充分混合后，置于碳管中，再一同置于石英管中，抽真空后密封；将得到的真空密封石英管，在800℃‑900℃保温10‑12小时进行高温熔炼，即可获得NaBiS2材料熔炼铸锭。本发明通过对原料Na2S粉末和Bi2S3粉末的配比进行优化，在真空密封石英管内、在碳管保护下，使Na2S与Bi2S3发生高温熔炼反应，成功制得了具有光电特性的半导体材料NaBiS2。本发明利用高温熔炼实现固相反应，得到目标NaBiS2材料，制备便捷，可实现大规模制备。

公开(公告)号：CN112947002A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110097299.7

申请日：2021-01-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊伟 ,  刘敬伟 ,  邓春三 ,  张文广 ,  喻克望 ,  焦玢璋 ,  刘耘呈 ,  邓磊敏

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  C01G9/02 ,  C01G51/04 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，更具体地，涉及一种用于微纳加工的光刻胶材料、其制备和应用。其将金属‑有机框架材料通过有机酸溶解于光敏树脂单体中，配合光引发剂共同组成光刻胶材料，然后利用超快激光直写系统增材制造三维微纳结构，显影晾干后经高温煅烧得到三维微纳结构的金属氧化物。本发明提出的一种金属氧化物三维微纳结构的增材制造方法，具有光刻胶简单易制备、适用于超快激光直写系统、分辨率高、成型效果好以及可加工任意复杂三维结构的优势。该发明制备的三维微纳结构金属氧化物有望在光子晶体、结构色、超材料、三维传感器以及三维集成电路等领域取得重大应用。