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发明公开
通孔填充方法及通孔填充装置审中-实审

公开(公告)号：CN114743928A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210319015.9

申请日：2022-03-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 , 李易诚 , 曹坤 , 单斌 , 张净铭 , 严谨 , 齐子廉

IPC: H01L21/768 , H01L23/522

Abstract: 本发明涉及一种通孔填充方法及通孔填充装置，该通孔填充方法包括以下步骤：在基体上刻蚀通孔，通孔的底壁为第一表面，通孔的侧壁为第二表面；使用ALD工艺将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面以形成第一填充层；使用CVD工艺将第二前驱体导向所述通孔内以形成第二填充层。上述通孔填充方法中，采用ALD工艺和CVD工艺结合的方法来填充通孔，能同时兼顾填充质量和填充效率，能更好地满足通孔尤其是高深宽比的通孔的填充需要。

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