公开(公告)号：CN115198252B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202210303352.9

申请日：2022-03-25

Applicant: 华中科技大学 ,  华中科技大学无锡研究院

Inventor： 陈蓉 ,  曹坤 ,  严谨 ,  单斌 ,  李易诚 ,  胡嘉成

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。

公开(公告)号：CN115198252A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210303352.9

申请日：2022-03-25

Applicant: 华中科技大学 ,  华中科技大学无锡研究院

Inventor： 陈蓉 ,  曹坤 ,  严谨 ,  单斌 ,  李易诚 ,  胡嘉成

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。

公开(公告)号：CN114743928A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210319015.9

申请日：2022-03-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 ,  李易诚 ,  曹坤 ,  单斌 ,  张净铭 ,  严谨 ,  齐子廉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明涉及一种通孔填充方法及通孔填充装置，该通孔填充方法包括以下步骤：在基体上刻蚀通孔，通孔的底壁为第一表面，通孔的侧壁为第二表面；使用ALD工艺将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面以形成第一填充层；使用CVD工艺将第二前驱体导向所述通孔内以形成第二填充层。上述通孔填充方法中，采用ALD工艺和CVD工艺结合的方法来填充通孔，能同时兼顾填充质量和填充效率，能更好地满足通孔尤其是高深宽比的通孔的填充需要。