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公开(公告)号:CN103894739B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201410116134.X
申请日:2014-03-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝陶瓷的刻蚀加工方法及装置,该方法使洁净的氧化铝陶瓷整体位于水中,水表面到氧化铝陶瓷材料表面距离为2mm~12mm,利用紫外脉冲激光对氧化铝陶瓷进行扫描刻蚀加工,刻蚀加工后的氧化铝陶瓷表面无发黑变质层和重凝层。装置包括紫外激光器、扫描振镜,二维加工平台,以及用于装水和待加工的氧化铝陶瓷的容器。本发明巧妙的引入“水”的因素,在一定厚度或一定流速的水下对氧化铝陶瓷进行激光刻蚀的冷却和排渣效应,有效的避免了空气中直接刻蚀出现的发黑变质现象,并且也增加了刻蚀深度,改善了刻蚀质量并提高了激光刻蚀加工效率,利用本发明可以在氧化铝陶瓷表面激光刻蚀制作出各种高尺寸精度的三维复杂图案。
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公开(公告)号:CN103894739A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201410116134.X
申请日:2014-03-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/1224 , B23K26/361 , B23K2103/52
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝陶瓷的刻蚀加工方法及装置,该方法使洁净的氧化铝陶瓷整体位于水中,水表面到氧化铝陶瓷材料表面距离为2mm~12mm,利用紫外脉冲激光对氧化铝陶瓷进行扫描刻蚀加工,刻蚀加工后的氧化铝陶瓷表面无发黑变质层和重凝层。装置包括紫外激光器、扫描振镜,二维加工平台,以及用于装水和待加工的氧化铝陶瓷的容器。本发明巧妙的引入“水”的因素,在一定厚度或一定流速的水下对氧化铝陶瓷进行激光刻蚀的冷却和排渣效应,有效的避免了空气中直接刻蚀出现的发黑变质现象,并且也增加了刻蚀深度,改善了刻蚀质量并提高了激光刻蚀加工效率,利用本发明可以在氧化铝陶瓷表面激光刻蚀制作出各种高尺寸精度的三维复杂图案。
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公开(公告)号:CN203791838U
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201420139228.4
申请日:2014-03-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本实用新型公开了一种氧化铝陶瓷的刻蚀加工装置,包括紫外激光器、扫描振镜,二维加工平台,以及容器;容器位于所述二维加工平台上,该容器用于盛水和待刻蚀加工的氧化铝陶瓷,所述水的表面到氧化铝陶瓷表面距离为2mm-12mm;所述扫描振镜位于所述紫外激光器的出光光路上,该扫描振镜用于将紫外激光器发射的激光束聚焦在所述氧化铝陶瓷表面。本实用新型巧妙的引入“水”的因素,在水下对氧化铝陶瓷进行激光刻蚀的冷却和排渣效应,有效的避免了空气中直接刻蚀出现的发黑变质现象,并且也增加了刻蚀深度,改善了刻蚀质量并提高了激光刻蚀加工效率,利用本实用新型可以在氧化铝陶瓷表面激光刻蚀制作出各种高尺寸精度的三维复杂图案。
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