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公开(公告)号：CN110190141B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910285735.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用，结构包括：铝反射层，氧化铝阵列支架，以及金纳米天线。氧化铝阵列支架设置于铝反射层上；金纳米天线设置于氧化铝阵列支架的与铝反射层相对的一侧表面。为防止入射光的溢出，本发明引入铝反射层和氧化铝阵列共振腔，结合强光干涉效果的铝反射层和氧化铝阵列共振腔及强表面等离子效应的自组装金纳米天线的优势，通过反射层、氧化铝阵列支架和金纳米天线的耦合作用，可将光波有效钳制于纳米复合结构表面，实现入射光波的反复利用，有效提升光敏感层的光利用率，突破了传统光探测材料光吸收率的限制。
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公开(公告)号：CN110190141A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910285735.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/08 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用，结构包括：铝反射层，氧化铝阵列支架，以及金纳米天线。氧化铝阵列支架设置于铝反射层上；金纳米天线设置于氧化铝阵列支架的与铝反射层相对的一侧表面。为防止入射光的溢出，本发明引入铝反射层和氧化铝阵列共振腔，结合强光干涉效果的铝反射层和氧化铝阵列共振腔及强表面等离子效应的自组装金纳米天线的优势，通过反射层、氧化铝阵列支架和金纳米天线的耦合作用，可将光波有效钳制于纳米复合结构表面，实现入射光波的反复利用，有效提升光敏感层的光利用率，突破了传统光探测材料光吸收率的限制。
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公开(公告)号：CN103091979B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310006963.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法，用于制作具有表面高增透性能的微结构，以用于光学器件，该方法包括：制备衬底并在衬底表面镀膜的步骤；对镀膜的衬底进行阳极氧化并进行扩孔处理以形成多孔氧化铝表面的步骤；和对经氧化扩孔处理后的器件进行干法或湿法刻蚀，获得具有粗糙起伏表面的纳米压印模板的步骤；衬底镀膜步骤中，先在衬底表面镀一层钛膜，然后在钛膜上镀铝膜，以增强铝膜的结合强度，防止铝膜上的纳米空洞脱落。本发明还公开了利用该方法制备的纳米压印模板以及具有利用该模板制备的微结构的光学器件。本发明可获得具有圆锥状的纳米孔洞形貌，其表面在微米级范围上具有百纳米级的起伏，从而制备出的微结构具有很好的增透效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103091980A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310007309.9
申请日：2013-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种孔洞纳米压印模板的制备方法，包括：制备表面镀有铝膜的衬底；对衬底进行阳极氧化和扩孔，氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需时长；对样片进行ICP刻蚀，再去除掩膜材料后即得纳米压印模板；ICP刻蚀分为三步完成：（1）无掩膜的多孔氧化层刻蚀，用于去除纳米孔洞层底部的阻挡层，（2）以多孔氧化层为掩膜的铝刻蚀，以将纳米空洞底部的铝膜层刻蚀到底，（3）以多孔铝膜层为掩膜的衬底刻蚀，以将纳米孔洞结构转移至衬底上。本发明还公开了一种利用上述方法制备的纳米压印模板。本发明通过控制多孔氧化层的厚度并保证阳极氧化刚好到达衬底界面，同时配合选择性的干法刻蚀工艺，从而获得大面积上均匀孔洞结构的转移。
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公开(公告)号：CN103091980B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310007309.9
申请日：2013-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种孔洞纳米压印模板的制备方法，包括：制备表面镀有铝膜的衬底；对衬底进行阳极氧化和扩孔，氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需时长；对样片进行ICP刻蚀，再去除掩膜材料后即得纳米压印模板；ICP刻蚀分为三步完成：（1）无掩膜的多孔氧化层刻蚀，用于去除纳米孔洞层底部的阻挡层，（2）以多孔氧化层为掩膜的铝刻蚀，以将纳米空洞底部的铝膜层刻蚀到底，（3）以多孔铝膜层为掩膜的衬底刻蚀，以将纳米孔洞结构转移至衬底上。本发明还公开了一种利用上述方法制备的纳米压印模板。本发明通过控制多孔氧化层的厚度并保证阳极氧化刚好到达衬底界面，同时配合选择性的干法刻蚀工艺，从而获得大面积上均匀孔洞结构的转移。
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公开(公告)号：CN103146101B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310060312.7
申请日：2013-02-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高结晶度聚偏氟乙烯的制备方法。在PVDF材料制备中加入热膨胀系数远大于PVDF的微球膨胀剂，当温度从室温升至PVDF的熔融温度时，微球急剧膨胀，微球的体积较室温情况下增大约10～20倍。此后对PVDF进行降温，从熔融温度降温至室温的过程中，PVDF逐渐凝固结晶。在这一过程中，微球急剧收缩，使PVDF在凝固过程中体内形成均匀的张应力，张应力可提高PVDF中β相的结晶度。利用该方法制备的PVDF，其β相结晶度明显提高，材料热释电性能优于普通方法制备的PVDF材料。本发明制备的PVDF有机铁电材料具有较高的β相结晶度、自发极化率和良好的热释电性能，符合铁电有机材料使用要求。
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公开(公告)号：CN103146101A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310060312.7
申请日：2013-02-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高结晶度聚偏氟乙烯的制备方法。在PVDF材料制备中加入热膨胀系数远大于PVDF的微球膨胀剂，当温度从室温升至PVDF的熔融温度时，微球急剧膨胀，微球的体积较室温情况下增大约10～20倍。此后对PVDF进行降温，从熔融温度降温至室温的过程中，PVDF逐渐凝固结晶。在这一过程中，微球急剧收缩，使PVDF在凝固过程中体内形成均匀的张应力，张应力可提高PVDF中β相的结晶度。利用该方法制备的PVDF，其β相结晶度明显提高，材料热释电性能优于普通方法制备的PVDF材料。本发明制备的PVDF有机铁电材料具有较高的β相结晶度、自发极化率和良好的热释电性能，符合铁电有机材料使用要求。
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公开(公告)号：CN103091979A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310006963.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法，用于制作具有表面高增透性能的微结构，以用于光学器件，该方法包括：制备衬底并在衬底表面镀膜的步骤；对镀膜的衬底进行阳极氧化并进行扩孔处理以形成多孔氧化铝表面的步骤；和对经氧化扩孔处理后的器件进行干法或湿法刻蚀，获得具有粗糙起伏表面的纳米压印模板的步骤；衬底镀膜步骤中，先在衬底表面镀一层钛膜，然后在钛膜上镀铝膜，以增强铝膜的结合强度，防止铝膜上的纳米空洞脱落。本发明还公开了利用该方法制备的纳米压印模板以及具有利用该模板制备的微结构的光学器件。本发明可获得具有圆锥状的纳米孔洞形貌，其表面在微米级范围上具有百纳米级的起伏，从而制备出的微结构具有很好的增透效果。
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