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公开(公告)号：CN119906279A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510318661.7
申请日：2025-03-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针对三相交错独立母线LLC的软开关分析方法及系统，方法包括：根据三相交错独立母线LLC的工作状态，得到等效电路，并通过基尔霍夫电压定律，得到阶梯电压两电平与励磁电流之间的第一关系方程、第二关系方程；根据所述第一关系方程、所述第二关系方程，得到阶梯电压两电平之间的比值关系；根据五柱式三相集成变压器的电感矩阵和所述比值关系，得到励磁电流变化率方程，并通过所述励磁电流变化率方程，计算得到励磁电流峰峰值；根据所述励磁电流峰峰值和开关管等效输出电容，得到软开关实现条件。本发明能够为三相交错独立母线LLC拓扑的参数选取提供参考。
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公开(公告)号：CN118487478A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410560545.1
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了谐振型双向桥式变换电路的控制方法，包括：获取谐振型双向桥式变换电路，并获取电路参数；将谐振单元等效为二端口网络，获取二端口网络两侧电压、开关频率和谐振频率；根据开关频率和谐振频率，计算二端口网络等效阻抗；根据二端口网络两侧电压，计算电压增益；基于二端口网络两侧电压、二端口网络等效阻抗和电压增益，获取谐振电流；根据电路开关时刻的谐振电流和电路中的开关ZVS条件，通过调控开关频率、桥臂内移相角、桥臂间外移相角控制电路的电压增益和最小谐振电流。本发明通过小信号模型的等效分析进行控制设计，可以降低电路损耗，减小电路成本与体积，获得理想的电压增益。
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公开(公告)号：CN118486666A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410560577.1
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种采用芯片连接件的多芯片并联功率模块，包括：基板、设置在基板上的功率单元、芯片连接件和驱动连接件，所述基板用于提供导电载体；所述功率单元用于提供导电驱动；所述芯片连接件用于所述基板与所述功率单元的连接；所述驱动连接件用于驱动所述功率单元。本发明不仅能够实现多个功率芯片的并联连接，且相较于传统功率模块中采用键合线实现功率芯片的顶部电极的电连接，本发明能够提升动态均流能力和可靠性。
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公开(公告)号：CN118486665A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410560427.0
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/48 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种芯片连接件及功率模块，芯片连接件用于功率模块。芯片连接件包括：第一连接部、第二连接部及第三连接部，第一连接部用于电连接功率芯片背离基板一侧的顶部电极；第二连接部，用于电连接基板；第三连接部一端与第一连接部电连接，另一端与第二连接部电连接。功率模块包括：芯片连接件、基板及设置在基板上的功率芯片，基板和功率芯片通过芯片连接件电连接。本申请可以通过综合优化芯片连接件的材料比例和厚度实现低热阻，高可靠性的功率模块；功率开关管芯片的驱动信号线采用Kelvin连接方式，增强了驱动的可靠性。
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公开(公告)号：CN111408869A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010281490.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电子制造技术领域，并具体公开了用于低温键合的微纳米铜颗粒焊膏及其制备方法和应用。该制备方法包括：将微米铜颗粒清洗去除杂质，然后烘干备用；将烘干后的微米铜颗粒置于预设环境中进行氧化，从而在其表面形成纳米铜氧化物；将氧化后的微米铜颗粒置于还原剂中进行还原，使得表面的纳米铜氧化物还原为纳米铜颗粒，获得微纳米铜颗粒；向微纳米铜颗粒中加入有机增稠剂，经搅拌、脱泡处理后形成微纳米铜颗粒焊膏。本发明利用预氧化和还原过程，使得微米铜颗粒表面及间隙形成了纳米结构，并利用其小尺寸效应有效降低了键合温度，满足功率器件封装应用要求，解决了工艺复杂、成本高的问题，并且满足了“低温服役、高温互连”的应用需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119920778A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510094705.2
申请日：2025-01-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法，双面散热结构包括：由下到上依次设置有一类热端基板10、第一导体层、一类冷端基板15、一类冷端基板第三线路层16、若干功率半导体芯片18、若干热界面材料30、二类冷端基板第六线路层29、若干二类冷端基板28、第二导体层、第三导体层和二类热端基板23，其中，第一热界面材料下表面通过铜夹21和一类冷端基板第三线路层16相连，所述第二导体层和第三导体层并列排布。本发明通过在功率芯片下表面直接集成冷端基板来避免热界面材料引起较大接触热阻的问题，同时也在功率芯片上表面集成冷端基板，实现功率芯片的双面高效散热。
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公开(公告)号：CN118424447A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410560347.5
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于减振降噪技术领域，提出一种振动与噪声测试装置及方法，包括：箱体，被配置为一侧可开启；柔性层，包覆在所述箱体内壁面；待测元件，布置在所述箱体内，被配置为能够产生模拟变压器的振动，所述待测元件与所述箱体之间设置有隔振台，其中，所述待测元件的中心开设有贯通孔；检测单元，被配置为具有若干检测端、且相对布置在所述待测元件的两侧，所述检测单元用于检测所述待测元件产生的振动和噪声。本发明能够实现提高振动与噪声的检测精度以及检测效率。
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公开(公告)号：CN111408869B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010281490.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电子制造技术领域，并具体公开了用于低温键合的微纳米铜颗粒焊膏及其制备方法和应用。该制备方法包括：将微米铜颗粒清洗去除杂质，然后烘干备用；将烘干后的微米铜颗粒置于预设环境中进行氧化，从而在其表面形成纳米铜氧化物；将氧化后的微米铜颗粒置于还原剂中进行还原，使得表面的纳米铜氧化物还原为纳米铜颗粒，获得微纳米铜颗粒；向微纳米铜颗粒中加入有机增稠剂，经搅拌、脱泡处理后形成微纳米铜颗粒焊膏。本发明利用预氧化和还原过程，使得微米铜颗粒表面及间隙形成了纳米结构，并利用其小尺寸效应有效降低了键合温度，满足功率器件封装应用要求，解决了工艺复杂、成本高的问题，并且满足了“低温服役、高温互连”的应用需求。
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公开(公告)号：CN109352206A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811370679.8
申请日：2018-11-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米技术和微电子封装领域，并公开了一种合金纳米颗粒焊膏及其制备方法。该方法具体步骤为：将金属盐和稳定剂完全溶解于溶剂中制得金属盐溶液，在该金属盐溶液中加入还原剂并搅拌，使其充分反应获得合金纳米颗粒悬浮液；将合金纳米颗粒悬浮液进行固液分离得到沉淀物，利用清洗剂洗涤该沉淀物，然后干燥获得合金纳米颗粒；将合金纳米颗粒添加至有机增稠剂中，通过真空搅拌和除泡处理后，制得合金纳米颗粒焊膏。本发明采用液相还原法制备合金纳米颗粒，工艺简单、易于控制并且成本较低；在制备金属盐溶液时加入稳定剂，能够有效避免颗粒的团聚和氧化，增强合金纳米颗粒的抗氧化性。
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公开(公告)号：CN120076156A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510194807.1
申请日：2025-02-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种低寄生电感、小型化功率封装结构，包括：PCB中间层、与PCB中间层电连接的供电单元和芯片单元，PCB中间层包括多层电路层；供电线路，设置在多层电路层内，供电线路的一端与供电单元电连接，供电线路的另一端与芯片单元电连接；控制线路，设置在多层电路层内，控制线路的一端与芯片单元电连接，控制线路的另一端与控制端电连接。该封装结构总体构成三维换流回路和紧凑布局，能够在有限的空间内集成更多的功率器件，降低体积的同时可以大大提高功率密度。
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