公开(公告)号：CN117685906A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311680710.9

申请日：2023-12-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 颜浩 ,  林响 ,  梁浴榕 ,  周泽兵 ,  任小芳

IPC: G01B11/26

Abstract: 本发明公开了一种二面角光学测量装置及方法，属于二面角测量技术领域，通过设置的二面角光学测量装置，将测量激光依次通过激光准直器和分光棱镜后按照比例分光，分成反射光和透射光；反射光和透射光对应经过第一反射镜和第二反射镜反射后打到二面角标准件的面心原路返回，在分光棱镜上合束干涉，通过调节光电探测器的位置和姿态，使得合束信号打到光电探测器的中心位置，读取二面角标准件的波前差分信号；当二面角标准件的波前差分信号为零时，将二面角标准件换成二面角待测目标件，读取的二面角待测目标件的波前差分信号；通过二面角标准件和二面角待测目标件的波前差分信号，获得二面角的测量信息。通过设计的该系统能够提高二面角测量的精度。

公开(公告)号：CN117685875A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311680701.X

申请日：2023-12-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 林响 ,  颜浩 ,  邱鹏 ,  梁浴榕 ,  周泽兵 ,  任小芳

IPC: G01B9/02015

Abstract: 本发明公开了一种激光干涉仪及其使用方法，属于高精度位移测量和高精度惯性传感技术领域。设置的激光干涉仪将测量激光依次通过设置的光纤环形器、光纤准直器和消偏振分光棱镜后，使得光纤准直器出射的测量激光与中心穿孔的介质膜反射镜垂直，分出的两束激光相互垂直，形成两束零差光束；调节介质膜反射镜的位置与姿态，将消偏振分光棱镜反射的零差激光反射后按原路径返回光纤环形器内产生光纤干涉光；通过调节中心穿孔的介质膜反射镜的位置与姿态，使角锥棱镜反射的光与该镜面垂直，与消偏振分光棱镜合束产生空间干涉光。该装置在测量时能够在大的动态范围内调整，降低了目标物调装难度。

公开(公告)号：CN119214622A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411361684.8

申请日：2024-09-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 任小芳 ,  杨光 ,  李彬 ,  曹爱银 ,  刘义鹤

IPC: A61B5/0531 ,  A61B5/00 ,  G06F17/18 ,  G06N7/01

Abstract: 本申请属于人体阻抗测量技术领域，具体公开了一种人体皮肤和皮下组织阻抗测量方法、装置及电子设备。该方法包括：步骤S101，获取待测人体阻抗在不同激励频率下的阻抗数据；步骤S102，基于所述不同激励频率下的阻抗数据，生成所述待测人体阻抗的阻抗数据随激励频率变化的目标曲线数据；步骤S103，利用人体阻抗模型拟合所述目标曲线数据，确定所述待测人体阻抗的人体皮肤阻抗和人体皮下组织阻抗；所述人体阻抗模型是基于人体皮肤阻抗和人体皮下组织阻抗确定的。通过本申请，可以实现人体皮肤和皮下组织阻抗的精密测量，不仅提高了测量的精度和可靠性，还增加了测量数据的丰富多样性。

公开(公告)号：CN110231662B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201910542375.3

申请日：2019-06-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王秋 ,  刘骅锋 ,  涂良成 ,  任小芳

IPC: G01V7/00 ,  G01V7/02 ,  G01P15/08 ,  G01P15/03 ,  G01P1/00

Abstract: 本发明公开一种基于抗磁体悬浮的MEMS惯性传感器的制备方法，包括：在SOI硅片的支撑层确定四个待刻蚀的刻蚀槽的位置；在SOI硅片的支撑层刻蚀出四个待刻蚀的刻蚀槽；在SOI硅片的器件层刻蚀出多个绝缘层释放孔；通过绝缘层释放孔去除支撑层中间区域对应的绝缘层得到刻蚀槽；在槽壁对称装置抗磁材料，并将两个装置抗磁材料的刻蚀槽对准封装；在上刻蚀槽外侧顶部装置固定永磁体，以提供作用于悬浮永磁体的悬浮力；在两个刻蚀槽围成的封闭空间内放置悬浮永磁体；抗磁材料向悬浮永磁体提供抗磁力；当悬浮永磁体的位置发生变化时，抗磁力作为类弹性恢复力，悬浮永磁体的位移用于确定外界惯性加速度。本发明制备的惯性传感器不受摩擦力的影响。

公开(公告)号：CN110231662A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910542375.3

申请日：2019-06-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王秋 ,  刘骅锋 ,  涂良成 ,  任小芳

IPC: G01V7/00 ,  G01V7/02 ,  G01P15/08 ,  G01P15/03 ,  G01P1/00

Abstract: 本发明公开一种基于抗磁体悬浮的MEMS惯性传感器的制备方法，包括：在SOI硅片的支撑层确定四个待刻蚀的刻蚀槽的位置；在SOI硅片的支撑层刻蚀出四个待刻蚀的刻蚀槽；在SOI硅片的器件层刻蚀出多个绝缘层释放孔；通过绝缘层释放孔去除支撑层中间区域对应的绝缘层得到刻蚀槽；在槽壁对称装置抗磁材料，并将两个装置抗磁材料的刻蚀槽对准封装；在上刻蚀槽外侧顶部装置固定永磁体，以提供作用于悬浮永磁体的悬浮力；在两个刻蚀槽围成的封闭空间内放置悬浮永磁体；抗磁材料向悬浮永磁体提供抗磁力；当悬浮永磁体的位置发生变化时，抗磁力作为类弹性恢复力，悬浮永磁体的位移用于确定外界惯性加速度。本发明制备的惯性传感器不受摩擦力的影响。