-
公开(公告)号：CN112527031B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011320933.0
申请日：2020-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05D23/32
Abstract: 本发明公开了一种片上热调系统及其控制方法，包括：电芯片、光芯片和开关管；光芯片包括位于待加热光器件一侧的热调器件，热调器件包括掺杂半导体制作的PN结或PIN结；开关管一端与所述电芯片相连，另一端与光芯片的热调器件相连；电芯片用于产生PWM波，并发送给所述开关管；开关管用于选通所述光芯片中的热调器件，并将PWM波发送到所述光芯片中被选通的热调器件上；光芯片中被选通的热调器件在PWM波作用下工作在正偏状态，以滤除PWM波中的高频成分，从而产生稳定的热功率，给所述待加热的光器件进行加热。由于热调器件的高频截止频率较低，PWM波的驱动频率相比于传统的PWM波驱动方案要低，故本发明中的电芯片的动态功耗较低，能量利用效率较高。
-
公开(公告)号：CN112527031A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011320933.0
申请日：2020-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05D23/32
Abstract: 本发明公开了一种片上热调系统及其控制方法，包括：电芯片、光芯片和开关管；光芯片包括位于待加热光器件一侧的热调器件，热调器件包括掺杂半导体制作的PN结或PIN结；开关管一端与所述电芯片相连，另一端与光芯片的热调器件相连；电芯片用于产生PWM波，并发送给所述开关管；开关管用于选通所述光芯片中的热调器件，并将PWM波发送到所述光芯片中被选通的热调器件上；光芯片中被选通的热调器件在PWM波作用下工作在正偏状态，以滤除PWM波中的高频成分，从而产生稳定的热功率，给所述待加热的光器件进行加热。由于热调器件的高频截止频率较低，PWM波的驱动频率相比于传统的PWM波驱动方案要低，故本发明中的电芯片的动态功耗较低，能量利用效率较高。
-
公开(公告)号：CN111999917B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010830539.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明公开了一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器，属于半导体光电子器件领域，电光移相器掺杂结构包括脊形光波导，脊形光波导包括脊区以及位于脊区两侧的肋区，脊区包括N型掺杂脊区和P型掺杂脊区，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面处形成两段纵向倾斜PN结以及连接该两段纵向倾斜PN结的横向倾斜PN结；其中，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面与脊区的左右侧面不相交。本发明中的掺杂结构，增大移相器中光场与PN结的重叠面积，提高移相效率，具有更低的驱动电压，降低了移相器功耗，对移相器调制带宽影响非常小，与CMOS工艺兼容且具有较大的工艺容差，从而保证器件的良品率。
-
公开(公告)号：CN111999917A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010830539.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明公开了一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器，属于半导体光电子器件领域，电光移相器掺杂结构包括脊形光波导，脊形光波导包括脊区以及位于脊区两侧的肋区，脊区包括N型掺杂脊区和P型掺杂脊区，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面处形成两段纵向倾斜PN结以及连接该两段纵向倾斜PN结的横向倾斜PN结；其中，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面与脊区的左右侧面不相交。本发明中的掺杂结构，增大移相器中光场与PN结的重叠面积，提高移相效率，具有更低的驱动电压，降低了移相器功耗，对移相器调制带宽影响非常小，与CMOS工艺兼容且具有较大的工艺容差，从而保证器件的良品率。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.014 seconds)
