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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118962250A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411318884.5
申请日：2024-09-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种防触电的绝缘电阻测试装置，它包括箱体，在箱体内设有升降架，在箱体上设有与升降架对应配合的纵向升降装置，在升降架上设有绝缘电阻测试仪和支撑台，在支撑台上设有一对与绝缘电阻测试仪对应配合的可移动的测试夹具，在箱体上设有接地组件，在箱体内设有与绝缘电阻测试仪对应配合的控制开关。本发明结构简单，使用方便，有效减少了电阻测试时静电和漏电对测试过程的干扰，同时降低了触电风险，进一步确保了测试操作的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN115765706A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211516921.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种正负脉冲高速大电流驱动电路装置，其特征在于由依次连接的一级正负脉冲的高速小电流驱动电路、二级辅助驱动电路、二级正负信号的高速大电流驱动电路组成。所述的一级正负脉冲的高速小电流驱动电路由场效应管Q1、场效应管Q2组成；所述的二级辅助驱动电路由场效应管Q5、场效应管Q6、电阻R1、电阻R2组成；所述的二级正负信号的高速大电流驱动电路由场效应管Q3、场效应管Q4组成。本发明的有益效果是，解决了驱动电路的高速和大电流的矛盾问题，同时实现了驱动信号的高速和大电流的目的。
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公开(公告)号：CN115733474A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211516060.X
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H03K17/041 , H03K17/60 , H03K17/687 , H02M1/088
Abstract: 本发明涉及一种高速大电流驱动电路装置，包括前置驱动器、功率驱动器、放电回路，功率驱动器连接带直流高压的负载；前级驱动器由高速小功率三极管构成，功率驱动器输出级采用高压高速大电流N‑MOS管；N‑MOS管的栅极采用二极管使低电平快速放电以达到快速关断的目的；前置驱动器的输出连接到功率驱动器MOS管的栅极，功率驱动器MOS管的漏极连接带直流高压的负载，放电回路连接功率驱动器MOS管栅极和高速驱动信号control input1 signal的输入端。当输入端输入高速小信号驱动时，功率驱动器MOS管就高速大电流驱动连接带直流高压的负载，实现高速驱动大电流的目的。
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公开(公告)号：CN118927153A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411318887.9
申请日：2024-09-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种用于金相制样的磨抛夹具，它包括底座，在底座（1a）上依次设有主杆（1b）、悬臂（1c）和固定座（1d），在固定座（1d）上通过连接杆（6）有固定板（7），在固定板（7）上连接有弹簧（5），在弹簧（5）下端连接有与金相制样对应配合的活动压板（5a）；在连接杆（6）上穿套有活动板（8），在活动板（8）和固定座（1d）之间均布有一组伸缩装置（4），活动板（8）上铰接有卡爪（2）。本发明结构简单、操作便捷，夹具本身可以弯转，灵活度较高在磨抛样品时需随时观察的需求，大大减小了样品过磨抛的现象发生，有效的提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN115776762A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211516981.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种混合集成低噪声功率电路，包括：中间层上制有地层GND覆铜，在地层GND覆铜的空白处制有电感L1的高频交流节点L1‑2；顶层中设有输入Vin节点L1‑1与电感L1输入端相连、电感另一端连接控制器N1的SW端与节点L1‑2联通；底层设有二极管V1，其P极与节点L1‑2联通，二极管V1输出端连电容C3，C3另一端连接GND覆铜层，GND覆铜层连接N1控制器的GND，同时连接输入GND端。本发明的优点：Vin输入经电感L1电流流经的回路三层重叠，电流流过的环路面积几乎为零，大大减少高频磁通变化量降低噪声干扰，同时高频电压变化节点都有地层覆铜（中间层）包络，大大吸收高频噪声尖峰电压。
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