公开(公告)号：CN113808964B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202111111328.7

申请日：2021-09-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 郑文昭 ,  李彪 ,  张乐银 ,  向圆 ,  欧阳径桥 ,  刘仲敏

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明涉及一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法，包括以下步骤：1）.将助焊膏涂抹在镀镍管壳底部，把焊料片粘在使镀镍管壳底部，在焊料片上点滴助焊剂，将芯片粘接在焊料片上；2）.把粘好芯片的镀镍管壳在80℃烘烤5分钟；3）.在烘烤过的镀镍管壳放入回流炉内进行烧结，烧结过程为第一段230℃条件下预热4分钟，第二段250℃条件下预热4分钟；310℃恒温条件下共晶6分钟，最后进入冷却区。发明有效提升了现有的效率，而针对于多芯片共晶不需要制作特殊工装限位，节省开模加工时间和成本，采用镀镍管壳和金锡焊料共晶较之前降低成本三分之一，且参数均达到需求，效果显著。

公开(公告)号：CN113808964A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111111328.7

申请日：2021-09-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 郑文昭 ,  李彪 ,  张乐银 ,  向圆 ,  欧阳径桥 ,  刘仲敏

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明涉及一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法，包括以下步骤：1）.将助焊膏涂抹在镀镍管壳底部，把焊料片粘在使镀镍管壳底部，在焊料片上点滴助焊剂，将芯片粘接在焊料片上；2）.把粘好芯片的镀镍管壳在80℃烘烤5分钟；3）.在烘烤过的镀镍管壳放入回流炉内进行烧结，烧结过程为第一段230℃条件下预热4分钟，第二段250℃条件下预热4分钟；310℃恒温条件下共晶6分钟，最后进入冷却区。发明有效提升了现有的效率，而针对于多芯片共晶不需要制作特殊工装限位，节省开模加工时间和成本，采用镀镍管壳和金锡焊料共晶较之前降低成本三分之一，且参数均达到需求，效果显著。