公开(公告)号：CN101473442A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022925.4

申请日：2007-06-19

申请人： 半南实验室公司

发明人： 迈克尔·S·马佐拉

IPC分类号： H01L29/15

摘要： 一种半绝缘外延层的制造方法，该方法包括向衬底或形成在衬底上的第一外延层注入硼离子，以在该衬底的表面上或在该第一外延层的表面上形成注入硼的区域，以及在该衬底的注入硼的区域上或在该第一外延层的注入硼的区域上生长第二外延层，以形成半绝缘外延层。

公开(公告)号：CN101473451B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200780022905.7

申请日：2007-06-19

申请人： 半南实验室公司

发明人： 迈克尔·S·马佐拉

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L31/16 ,  H02M7/00

摘要： 一种用于制造功率器件和电路的光活性材料，其与影响功率电子器件和电路的光学控制的传统方法相比具有显著的性能优势。碳化硅光活性材料通过与硼相关的D中心补偿浅施主而形成。由此产生的材料可为n型或p型，但其与其他材料的区别在于，当其被光子能量超过从D中心激发光电子至接近于导带边缘所允许的状态所需的阈值能量的电磁辐射照射时，可在其中导致持续的光电导性，其由多型变化为多型。

公开(公告)号：CN101467262A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780020722.1

申请日：2007-04-03

申请人： 半南实验室公司

发明人： 迈克尔·S·马佐拉 ,  成林

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明涉及结势垒肖特基(JBS)整流器器件及其制造方法。该器件包括外延生长的第一n型漂移层和p型区，以形成p型区之间或顶部上的p+－n结和自平坦化的外延过生长第二n型漂移区。该器件可包括边缘终止结构，例如露出或埋入的p+－n保护环、再生长或注入的结终止延伸(JTE)区、或向下蚀刻至衬底的“深”台面。第二n型漂移区的肖特基触点和p型区的欧姆触点共同构成阳极。阴极可由晶片背侧的n型区的欧姆触点形成。该器件可用于单片的数字、模拟和微波集成电路。

公开(公告)号：CN101467262B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200780020722.1

申请日：2007-04-03

申请人： 半南实验室公司

发明人： 迈克尔·S·马佐拉 ,  成林

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明涉及结势垒肖特基(JBS)整流器器件及其制造方法。该器件包括外延生长的第一n型漂移层和p型区，以形成p型区之间或顶部上的p+-n结和自平坦化的外延过生长第二n型漂移区。该器件可包括边缘终止结构，例如露出或埋入的p+-n保护环、再生长或注入的结终止延伸(JTE)区、或向下蚀刻至衬底的“深”台面。第二n型漂移区的肖特基触点和p型区的欧姆触点共同构成阳极。阴极可由晶片背侧的n型区的欧姆触点形成。该器件可用于单片的数字、模拟和微波集成电路。

公开(公告)号：CN101473451A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780022905.7

申请日：2007-06-19

申请人： 半南实验室公司

发明人： 迈克尔·S·马佐拉

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L31/16 ,  H02M7/00

摘要： 一种用于制造功率器件和电路的光活性材料，其与影响功率电子器件和电路的光学控制的传统方法相比具有显著的性能优势。碳化硅光活性材料通过与硼相关的D中心补偿浅施主而形成。由此产生的材料可为n型或p型，但其与其他材料的区别在于，当其被光子能量超过从D中心激发光电子至接近于导带边缘所允许的状态所需的阈值能量的电磁辐射照射时，可在其中导致持续的光电导性，其由多型变化为多型。

公开(公告)号：CN102290480A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110151861.6

申请日：2007-06-19

申请人： 半南实验室公司

发明人： 迈克尔·S·马佐拉

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/11 ,  H01L31/0312 ,  H03K17/78

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1105 ,  H03K17/78 ,  Y10S438/917 ,  Y10S438/931

摘要： 一种用于制造功率器件和电路的光活性材料，其与影响功率电子器件和电路的光学控制的传统方法相比具有显著的性能优势。碳化硅光活性材料通过与硼相关的D中心补偿浅施主而形成。由此产生的材料可为n型或p型，但其与其他材料的区别在于，当其被光子能量超过从D中心激发光电子至接近于导带边缘所允许的状态所需的阈值能量的电磁辐射照射时，可在其中导致持续的光电导性，其由多型变化为多型。

公开(公告)号：CN101772881A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880025677.3

申请日：2008-05-21

申请人： 半南实验室公司

发明人： 迈克尔·S·马佐拉 ,  罗宾·L·凯利

IPC分类号： H02M3/00 ,  H03K17/94

CPC分类号： H03K17/164 ,  H02M1/08 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/162 ,  H03K17/6871 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0036 ,  Y02B70/1483

摘要： 本发明描述了一种用于使包含诸如结型场效应晶体管(JFET)的常通开关的半桥电路固有安全、免受不受控制电流的影响的方法。这些开关可以由碳化硅或硅制成。这里描述的方法允许在集成电源模块中利用性能更好的常通开关取代常断开关，由此改善集成电源模块的效率、尺寸、重量和成本。如这里所描述的，可以向栅极驱动器电路添加电源。该电源可以是自启动和自振荡的，同时能够通过该栅极驱动器从向常通开关供应电势的端子获取其所有源能量。然后该常通开关的端子特性可以与该电源的输入输出特性协调。