陶瓷基板用黑色色料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118373668A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410465801.9

    申请日:2024-04-18

    摘要: 一种陶瓷基板用黑色色料及其制备方法和应用,属于陶瓷基板技术领域,所述陶瓷基板用黑色色料包括以下摩尔质量份数的原料:1~3份V2O5、3~5份Al2O3、1~3份Sm2O3、0.5~4份Y2O3、0.5~4份Cr2O3、0.5~4份Fe2O3。所述陶瓷基板用黑色色料通过固相法制备得到。本发明提供的黑色色料为无钴色料,成本低,且黑色色料中含有的重金属含量较低,在实际生产中对人体的危害较低;添加此种色料的黑色陶瓷,在1000℃~1600℃的高温下具有良好的呈色效果和显色稳定性;添加此种色料的黑色陶瓷在电性能上,如体积电阻率,符合封装用陶瓷的要求。本发明的黑色色料可以应用于各类黑色陶瓷的制备,如氧化铝、氧化锆、氮化铝等封装陶瓷,应用广泛。

    高温稳定的大比表面积α-Al2O3纳米粉体材料的制备方法

    公开(公告)号:CN118343814A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410566913.3

    申请日:2024-05-09

    IPC分类号: C01F7/442 C01F7/306 B82Y40/00

    摘要: 本发明提供了一种高温稳定的大比表面积α‑Al2O3纳米粉体材料的制备方法,属于氧化铝无机材料技术领域,包括以下步骤:(1)将氢氧化物溶液加入铝盐溶液中,调节到pH至8~12,添加表面活性剂,搅拌均匀,得到薄水铝石前驱体;(2)将薄水铝石前驱体进行水热反应,溶液经抽滤、洗涤后,进行低温冷冻干燥,得到薄水铝石粉体;(3)将氟化铝加入薄水铝石粉体中,球磨混合均匀后,将得到的粉末前驱体放置在空气炉中,以5℃/min的升温速率快速升温至1000~1200℃,烧结3~4h,随炉冷却至室温,得到高温稳定的大比表面积α‑Al2O3纳米粉体材料。本发明可以在1000~1200℃的高温下制得形貌均匀,比表面积达到54 m2/g以上的α‑Al2O3纳米粉体材料,且该α‑Al2O3纳米粉体材料具有高温稳定性。

    线性NTC热敏电阻材料LaMnO3-Al2O3及其制备方法

    公开(公告)号:CN117185813A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311238841.1

    申请日:2023-09-22

    IPC分类号: C04B35/50

    摘要: 一种线性NTC热敏电阻材料LaMnO3‑Al2O3及其制备方法,属于NTC热敏电阻材料技术领域,所述线性NTC热敏电阻材料LaMnO3‑Al2O3的组分包括Mn基钙钛矿LaMnO3和Al2O3,所述Al2O3的摩尔分数占体系总摩尔分数的10%~30%;该材料是通过将Mn基钙钛矿LaMnO3和Al2O3经球磨、烘干、过筛、压制、烧结制成。所述NTC热敏电阻材料LaMnO3‑Al2O3在30℃~65℃范围内具有线性电阻‑温度特性,线性度达到了99.6%以上,是一种线性NTC热敏电阻材料,该线性NTC热敏电阻材料在使用过程中可以令工作电路更加简洁,也使得整机系统运作更简单更可靠。

    线性NTC热敏电阻材料CdSnO3-Al2O3及其制备方法

    公开(公告)号:CN117185801A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311236250.0

    申请日:2023-09-22

    IPC分类号: C04B35/457

    摘要: 一种线性NTC热敏电阻材料CdSnO3‑Al2O3及其制备方法,属于NTC热敏电阻材料技术领域,所述线性NTC热敏电阻材料CdSnO3‑Al2O3的组分包括Sn基钙钛矿CdSnO3和Al2O3,所述Al2O3的摩尔分数占体系总摩尔分数的10%~30%;该材料是通过将Sn基钙钛矿CdSnO3和Al2O3经球磨、烘干、过筛、压制、烧结制成。所述NTC热敏电阻材料CdSnO3‑Al2O3在25℃~175℃范围内具有线性电阻‑温度特性,线性度达到了99.6%以上,是一种线性NTC热敏电阻材料,在使用过程中可以令工作电路更加简洁,也使得整机系统运作更简单更可靠。

    "> 高电导率β

    公开(公告)号:CN111675533A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010476855.7

    申请日:2020-05-29

    摘要: 一种高电导率β"-Al2O3陶瓷电解质的制备方法,包括粉体制备步骤和样品烧结步骤。采用水热反应法制备薄水铝石作为前驱体,采用冰晶模板辅助冷冻干燥的方法,首先利用SPS烧结炉进行预烧结获得具有一定取向性结构的SPS烧结样品,然后再利用高温烧结炉进行埋粉烧结后,形成均匀的β″-Al2O3陶瓷电解质,经过检测获得的所述β″-Al2O3陶瓷电解质在350℃时的电导率达到0.234 S·cm-1。

    碳化硅为烧结助剂的高熵氮化物陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN118221438A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410351270.0

    申请日:2024-03-26

    摘要: 本发明公开了一种碳化硅为烧结助剂的高熵氮化物陶瓷的制备方法,包括原料与处理‑粉体合成‑添加剂混合处理‑陶瓷烧结等步骤。该方法以HfO2、ZrO2、TiO2、Nb2O5、Ta2O5和Si3N4为原料,经机械球磨5~10h后,在1800℃下合成了亚微米级的单相(Hf0.2Zr0.2Ti0.2Nb0.2Ta0.2)N高熵粉体。然后以该高熵粉体为原料,并添加SiC为助烧剂,采用SPS在1900~2100℃下烧结制备了添加5~15mol%SiC的(Hf0.2Zr0.2Ti0.2Nb0.2Ta0.2)N高熵陶瓷。本发明的碳化硅为烧结助剂的高熵氮化物陶瓷的制备方法,通过添加烧结助剂并对高熵氮化物陶瓷的制备工艺进行改进,以提高其难以烧结以及致密度低的问题,同时提高高熵氮化物陶瓷的力学性能。添加10mol%SiC的高熵陶瓷的致密度达到98.32%,其维氏硬度、断裂韧性及抗弯强度分别为23.34±0.96GPa、3.84±0.33MPa·m1/2和409±41MPa。

    具有Yolk-Shell结构的Cu2O@贵金属复合颗粒及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN117019171A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311030157.4

    申请日:2023-08-16

    摘要: 本发明提供了一种具有Yolk‑Shell结构的Cu2O@贵金属复合颗粒的制备方法,在特定温度下,向五水硫酸铜溶液中加入氢氧化钠溶液和还原剂粉末制备八面体Cu2O颗粒;然后将八面体Cu2O颗粒分散在乙二醇溶液中,先后加入氢氧化钠溶液和还原剂溶液,在特定温度下反应得到具有Yolk‑Shell结构的Cu2O@Cu复合颗粒;再将Cu2O@Cu复合颗粒分散在水中,加入贵金属酸溶液,在常温下搅拌反应一定时间,得到具有Yolk‑Shell结构的Cu2O@贵金属复合颗粒。本发明通过两次原位反应,实现了具有Yolk‑Shell结构的Cu2O@贵金属复合颗粒的可控制备,颗粒整体为八面体结构,Cu2O为Yolk,且均匀分散的贵金属颗粒及Cu2O颗粒组成的多相结构为Shell,该复合颗粒具有更强的光吸收效率和丰富的表面活性位点,增强载流子的产生及电荷的快速转移。

    Hf-Si-O-N-M五元系统反应热压烧结制备HfN基复合陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN113999016A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111458943.5

    申请日:2021-12-01

    摘要: 本发明提供了一种Hf‑Si‑O‑N‑M五元系统反应热压烧结制备HfN基复合陶瓷的方法,包括以下步骤:(1)HfO2、Si3N4及MxOy(BaO、SrO及La2O3)粉料混合均匀得到混合物料;(2)将混合物料放入石墨模具内,在N2保护下,以15~25℃/min的升温速率加热至保温温度1500~1600℃,并保温1~3h,然后随炉冷却,加热过程中,在炉温为1000~1400℃时开始向模具逐步加压,直至炉温达到保温温度时加压至保压压力15~25MPa,并保压1~2h。本发明通过引入强碱性氧化物结合热压烧结工艺,有效固定HfO2‑Si3N4系统中挥发性的Si、N元素,促进HfO2‑Si3N4取代反应生成HfN,生成相应的共存相,以达到降低反应温度和体系烧失率的目的,且反应生成的硅酸盐、含氮硅酸盐、铪酸盐物质可促进陶瓷的致密化,提高HfN基陶瓷材料致密度,提升陶瓷力学性能。