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公开(公告)号:CN115710127B
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202211452680.1
申请日:2022-11-21
Applicant: 北方民族大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,包括SiC分散‑石墨烯分散‑混合分散‑粉体制备‑压制成型‑无压烧结等步骤。本发明将石墨烯分散于PVA水溶液中形成石墨烯浆料,然后将石墨烯浆料加入SiC浆料中进行超声和球磨,使得石墨烯更均匀的分散在SiC浆料中。可减少石墨烯片层间印范德华力导致的石墨烯团聚现象,使得石墨烯更均匀的分散在SiC浆料中,提高石墨烯改性复合材料的性能。利用该方法所得的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料,既保持石墨烯/碳化硅陶瓷复合材料的抗弯强度稳定,又使复合材料的断裂韧性和硬度有所提高。在保证抗弯强度稳定性的条件下,所制备的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的断裂韧性可达4.87MPa·m1/2,硬度可达25.08HV。
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公开(公告)号:CN115710127A
公开(公告)日:2023-02-24
申请号:CN202211452680.1
申请日:2022-11-21
Applicant: 北方民族大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,包括SiC分散‑石墨烯分散‑混合分散‑粉体制备‑压制成型‑无压烧结等步骤。本发明将石墨烯分散于PVA水溶液中形成石墨烯浆料,然后将石墨烯浆料加入SiC浆料中进行超声和球磨,使得石墨烯更均匀的分散在SiC浆料中。可减少石墨烯片层间印范德华力导致的石墨烯团聚现象,使得石墨烯更均匀的分散在SiC浆料中,提高石墨烯改性复合材料的性能。利用该方法所得的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料,既保持石墨烯/碳化硅陶瓷复合材料的抗弯强度稳定,又使复合材料的断裂韧性和硬度有所提高。在保证抗弯强度稳定性的条件下,所制备的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的断裂韧性可达4.87MPa·m1/2,硬度可达25.08HV。
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公开(公告)号:CN113880587A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111355149.8
申请日:2021-11-16
Applicant: 北方民族大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种硅热还原氧化法制备氮化铪陶瓷粉体的方法,以成本低的氮化硅和氧化铪作为原料,通过研磨混合‑压制成型‑无压烧结‑破碎筛分等步骤加工而成。在该氮化铪陶瓷粉体体系中,一方面过渡金属元素Hf的价电子浓度和配位数较高,而N的原子半径较小,易形成键长较短、键强较强的共价键,从而具有很高的熔点和硬度,另一方面其化学键中同时具有金属键、离子键和共价键,从而易调控形成多种不同的化学计量比和晶体结构。过渡金属原子向主族原子的电荷转移,使本来空间分布比较局域的d电子受到的电子屏蔽更少,增强了d电子的局域性和相互关联,从而提高了氮化铪陶瓷粉体的韧性。利用本发明可降低氮化铪陶瓷粉体生产成本、改善陶瓷韧性。
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公开(公告)号:CN114644525A
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202210211736.8
申请日:2022-03-04
Applicant: 北方民族大学
IPC: C04B35/66 , C04B38/00 , C04B35/195 , C04B35/622 , C04B35/64 , B28B3/00 , B28B17/02
Abstract: 本发明公开了一种添加废弃料的复合匣钵及其制备方法,本发明以莫来石、堇青石、辊棒料以及粘结剂为原料,通过物料混合、坯料陈腐、压制成型、坯体干燥及高温烧结等步骤制备得到复合匣钵。其中所用的辊棒料为烧结匣钵过程中废弃的材料,可部分替代莫来石、堇青石等原材料。本发明可以采用较少的原料、通过简洁的工艺制备出满足要求的匣钵,产品性能优异,其密度和气孔率均在规范要求的范围。本发明采用废弃辊棒料部分替代匣钵制作的原材料,并通过原料配比及加工工艺的控制,制备出符合要求的高质量复合匣钵,不仅解决匣钵废弃料的处理问题、有益于环保,同时还能节约资源、降低制作成本,提高匣钵市场竞争力。
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公开(公告)号:CN113956049A
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN202111322817.7
申请日:2021-11-09
Applicant: 北方民族大学
IPC: C04B35/577 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种自蔓延燃烧合成β‑SiC粉无压烧结制备高密度陶瓷的方法,包括以下步骤:(1)机械激活;(2)酸洗纯化;(3)球磨制浆;(3)干压成型;(4)无压烧结。本发明采用自蔓延燃烧合成的β‑SiC粉,通过机械激活、酸洗纯化,提高表面活化能、提高纯度,制备了适合烧结的高性能亚微米级粉体。再通过控制烧结助剂C、B及烧结工艺,以期利用自蔓延燃烧合成β‑SiC粉作为原料,制备获得致密的、力学性能优异的β‑SiC陶瓷材料。当B添加量为0.7wt%,C添加量为4wt%时,在烧结温度为2100℃,保温时间90min的条件下,制备的SiC陶瓷的致密度和力学性能最佳,其烧失率7.9%、收缩率15.6%、密度3.14g/m3,硬度25.62±0.92GPa,断裂韧性4.84±0.84MPa·m1/2,三点抗弯强度401.74±8.66GPa。
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