公开(公告)号：CN106159038B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201610319278.4

申请日：2016-05-12

Applicant: 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 ,  贺小庆 ,  安格斯·罗基特 ,  乔尔·瓦利 ,  文森索·洛尔迪

Inventor： 贺小庆 ,  安格斯·罗基特 ,  乔尔·瓦利 ,  文森索·洛尔迪 ,  尼尔·麦凯 ,  乔迪·扎帕拉克 ,  张伟杰 ,  约翰·科森

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 一种制造光伏结构的方法包括在第一电极上方形成含有基于硒化铜铟镓的材料的p型半导体吸收体层，通过在包括氢气和氧气的环境中溅射来在所述p型半导体吸收体层上方形成n型硫化镉层，以及在所述硫化镉层上方形成第二电极。

公开(公告)号：CN108155257A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711192048.7

申请日：2017-11-24

Applicant: 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司

Inventor： 鲁因·法尔希 ,  尼尔·麦凯

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/0623 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/541 ,  C23C14/562 ,  C23C14/568 ,  H01J37/3473 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  H01L31/0749

Abstract: 本发明提供了制造半导体结构的方法，包括步骤：在包括至少一种硫族元素的环境中在衬底上溅射银、铜、铟和镓，以沉积银、铜、铟、镓以及至少一种硫族元素的合金。合金的薄膜可以以高吞吐量沉积在连续移动的衬底上，以形成光伏电池的p型半导体吸收层。

公开(公告)号：CN106159038A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610319278.4

申请日：2016-05-12

Applicant: 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 ,  贺小庆 ,  安格斯·罗基特 ,  乔尔·瓦利 ,  文森索·洛尔迪

Inventor： 贺小庆 ,  安格斯·罗基特 ,  乔尔·瓦利 ,  文森索·洛尔迪 ,  尼尔·麦凯 ,  乔迪·扎帕拉克 ,  张伟杰 ,  约翰·科森

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

Abstract: 一种制造光伏结构的方法包括在第一电极上方形成含有基于硒化铜铟镓的材料的p型半导体吸收体层，通过在包括氢气和氧气的环境中溅射来在所述p型半导体吸收体层上方形成n型硫化镉层，以及在所述硫化镉层上方形成第二电极。